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对高能X射线剂量建成区，描述正确的是（）

题目
单选题
对高能X射线剂量建成区，描述正确的是（）
A

一般使肿瘤位于建成区之前

B

一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前

C

肿瘤中心通过剂量最大点

D

最大剂量建成深度随射线能量增加而增加

E

最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面

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第1题：

由中心轴百分深度剂量(PDD)曲线可以看出，对于高能X(γ)射线

A、能量增大时，表面剂量增加，建成区变窄，最大剂量深度减少

B、能量增大时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度增加

C、能量增大时，表面剂量减少，建成区变窄，最大剂量深度增加

D、能量增大时，表面剂量增加，建成区增宽，最大剂量深度增加

E、能量减少时，表面剂量减少，建成区增宽，最大剂量深度减少


参考答案：B

第2题：

不属于高能电子束百分深度剂量的是（）

  • A、剂量建成区
  • B、低剂量坪区
  • C、高剂量坪区
  • D、X射线污染区
  • E、剂量跌落区

正确答案:B

第3题：

高能电子束的PDD曲线可大致分为

A、剂量建成区、高剂量坪区、低剂量区

B、表面剂量区、低剂量坪区、剂量上升区

C、表面剂量区、剂量跌落区、低剂量坪区以及X射线污染区

D、表面剂量区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区

E、剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区以及X射线污染区


参考答案：E

第4题：

关于剂量建成区形成的原因，错误的是（）

  • A、高能X（γ）射线入射到人体或模体时，在体表或皮下产生高能次级电子
  • B、虽然所产生的高能次级电子射程较短，但仍需穿过一定深度直至能量耗尽后停止
  • C、在最大电子射程内高能次级电子产生的吸收剂量随组织深度增加而增加
  • D、高能X（γ）射线随组织深度增加，产生的高能次级电子减少
  • E、剂量建成区的形成实际是带电粒子能量沉积过程

正确答案:E

第5题：

高能电子束的深度剂量曲线分为剂量建成区、高剂量坪区、剂量跌落区和X射线污染区，治疗肿瘤时应使靶区位于（）

  • A、剂量建成区
  • B、高剂量坪区
  • C、剂量建成区和高剂量坪区
  • D、高剂量坪区和剂量跌落区
  • E、剂量跌落区和X射线污染区

正确答案:A

第6题：

关于建成效应的描述，错误的是（）

  • A、从表面到最大剂量深度区域成为建成区域
  • B、对高能X射线，一般都有剂量建成区域存在
  • C、剂量建成区内表面剂量不能为零
  • D、高能次级电子数随深度增加而增加，导致建成区域内总吸收剂量随深度而增加
  • E、高能X射线建成区深度随能量增加而增加

正确答案:D

第7题：

硅晶体半导体探测器主要用于测量（）的相对剂量。

  • A、高能X（γ）射线与低能X射线
  • B、高能X（γ）射线与电子束
  • C、低能X射线与电子束
  • D、高能X射线
  • E、低能X射线

正确答案:B

第8题：

对高能X射线剂量建成区，描述正确的是

A、一般使肿瘤位于建成区之前

B、一般使肿瘤体积的一半位于建成区之前

C、肿瘤中心通过剂量最大点

D、最大剂量建成深度随射线能量增加而增加

E、最大剂量建成深度随射线能量增加而靠近皮肤表面


参考答案：D

第9题：

关于高能电子束百分深度剂量曲线特点的正确描述是（）。

  • A、大致分4部分：剂量建成区，高剂量坪区，剂量跌落区，X射线污染区
  • B、大致分2部分：剂量建成区，剂量指数形式衰减区
  • C、大致分3部分：高剂量坪区，剂量指数形式衰减区，X线污染区
  • D、剂量由表面开始逐渐增加，达到峰值后，剂量随深度增加而成指数形式衰减
  • E、和低能X线的百分深度剂量曲线形式一样

正确答案:A

第10题：

有关TBI射线能量的选择，以下不正确的是（）

  • A、原则上所有高能X（γ）线均能作全身照射
  • B、TBI的剂量分布受组织侧向效应的影响
  • C、TBI的剂量分布受组织剂量建成区的影响
  • D、体中线与表浅部位间剂量的比值不随能量变化
  • E、选择侧位照射技术，至少应用6MV以上的X射线

正确答案:D

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