4、集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。

第1题：

在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。

第2题：

按制造工艺集成电路分为（）。

• A、半导体集成电路
• B、TTL集成电路
• C、厚膜集成电路
• D、薄膜集成电路
• E、CMOS集成电路

第3题：

第4题：

集成电路中元器件的特点是（）。

• A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路
• B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少
• C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PF
• D、集成电路中的三极管是低频小功率管
• E、集成电路中的二极管是高性能管

第5题：

集成电路按照制造工艺可分为（）。

• A、半导体集成电路
• B、薄膜集成电路
• C、数字集成电路
• D、厚膜集成电路

第6题：

按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。

• A、数字
• B、厚膜
• C、小规模
• D、专用

第7题：

集成电路正确的分类方法是（）。

• A、按用途
• B、按功能
• C、按导电类型
• D、按制造工艺
• E、按集成度

第8题：

集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？

第9题：

集成电路的基本制造工艺是：首先是对圆柱形的单晶硅进行（），生产大片的（），并在其上制造出大量电路单元。

第10题：

集成电路由（）、（）、（）等组成，集中制造在一个芯片上，目前的超大规模集成电路芯片，其制造工艺已达到（）微米级程度。