在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区

题目

在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

A、基区
B、集电区
C、发射区
D、饱和区

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第1题：

杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()

A、掺杂浓度

B、工艺

C、温度

D、晶体缺陷

参考答案：A

第2题：

关于BJT的结构特点说法错误的是()。

A、基区很薄且掺杂浓度很低

B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度

D、集电区面积大于发射区面积

正确答案:C

第3题：

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。

A、掺杂种类

B、掺杂浓度

C、温度

D、电压

参考答案：B,C

第4题：

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷

正确答案:A

第5题：

在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

A、温度

B、杂质浓度

C、原本征半导体的纯度

参考答案：B

第6题：

开关电路中晶体三极管主要工作在()和()区域。

参考答案：截止;饱和

第7题：

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。

A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度

B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度

C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏

D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏

参考答案：A

第8题：

三极管哪个区的掺杂浓度最高()

A、基区

B、发射区

C、集电区

D、不确定

参考答案：B

第9题：

晶体管能够放大的内部条件是()。

A.两个背靠背的PN结

B.自由电子与空穴都参与导电

C.有三个掺杂浓度不同的区域

D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

参考答案：D

第10题：

晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。

正确答案:错误

在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。

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