关于抑制性突触后电位的产生过程，正确的是（）
第1题：
膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。
第2题：
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．Mg2+
第3题：
第4题：
由膜外进入突触前膜内
、Cl
或Cl
的通透性升高
第5题：
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl—
E.Mg2+
第6题：
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．H+
第7题：
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。
第8题：
关于抑制性突触后电位的产生，正确的叙述是()。
A.突触后膜对Ca2+K+通透性增大
B.突触后膜去极化
C.突触后膜出现超极化
D.突触后膜出现复极化
E.以上都不是
第9题：
下列关于抑制性突触后电位的叙述，正确的是
A.是局部去极化电位
B.具有"全或无"性质
C.是局部超极化电位
D.由突触前膜递质释放量减少所致
E.由突触后膜对钠通透性增加所致
第10题：
通道开放，一定量的Ca
顺浓度差流入突触内，在Ca
的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙，此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙，到达突触后膜，与位于后膜中的受体结合，故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl
通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应，使兴奋性突触后电位的去极化减少，而抑制了动作电位的发生。故2题选D。