可产生抑制性突触后电位的离子基础是()

题目
单选题
可产生抑制性突触后电位的离子基础是()
A

K+

B

H+

C

Ca2+

D

Cl-

E

Na+

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第1题:

膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。


正确答案:D

第2题:

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.H+


正确答案:D

第3题:

可产生兴奋性突触后电位的离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.H+


答案:B

第4题:

产生抑制性突触后电位的主要离子流是( )


正确答案:D
考查考生对突触传递原理的理解。
在突触传递过程中,当突触前神经元有冲动传到末梢时,突触前膜去极化,去极化达一定水平时,末梢膜上电压门控钙通道开放,细胞外Ca2+进入末梢轴浆内,由此触发突触囊泡的出胞,以量子式释放的形式,将囊泡内的递质倾囊释出,这一过程称为兴奋一分泌耦联,而其他离子流对轴突末梢释放神经递质均无关,故第3题的正确答案是C。K+外流、Na+内流和Cl-内流均与突触传递引起突触后电位的产生有关,而H+外流则与此无关;Na+内流可使突触膜去极化,引起兴奋性突触后电位;K+外流和Cl-内流均可使突触后膜超极化,引起抑制性突触后电位,但通常以Cl-内流为主。故第4题的正确答案是D。

第5题:

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.Mg2+


正确答案:D

第6题:

(备选答案)

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.H+

1.促使轴突末梢释放神经递质的离子是

2.可产生抑制性突触后电位的离子基础是

3.静息电位产生的离子基础是


正确答案:C,D,A

第7题:

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

A.Ca2+

B.Cl

C.Na+

D.K+

E.Mg2+


参考答案:B

第8题:

膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位()

A、K+

B、Na+

C、Ca2+

D、Cl-

E、H+


参考答案:D

第9题:

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。


正确答案:D

第10题:

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl—

E.Mg2+


正确答案:D