下列哪项是抑制性突触后电位产生的离子机制?(  )

题目
单选题
下列哪项是抑制性突触后电位产生的离子机制?(  )
A

Na+内流

B

K+内流

C

Ca2+内流

D

Cl内流

E

K+外流

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第1题:

(备选答案)

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.H+

1.促使轴突末梢释放神经递质的离子是

2.可产生抑制性突触后电位的离子基础是

3.静息电位产生的离子基础是


正确答案:C,D,A

第2题:

可产生抑制性突触后电位的离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.H+


正确答案:D

第3题:

膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位()

A、K+

B、Na+

C、Ca2+

D、Cl-

E、H+


参考答案:D

第4题:

抑制性突触后电位产生的离子机制主要是

A.Na+内流

B.K+外流

C.Ca2+内流

D.Cl-内流

E.Na+内流和K+外流


正确答案:D

第5题:

下列离子的通透性增加会产生抑制性突触后电位,正确的是( )。

A、Na、Cl、K,尤其是K

B、K、Cl,尤其是Cl

C、Na、K,尤其是Na

D、Ca、K、Cl,尤其是Ca

E、K、Ca、Na,尤其是Ca


参考答案:B

第6题:

抑制性突触后电位产生的离子机制是

A.Na+内流

B.K+勾流

C.Ca2+内流

D.K+外流

E.C1-内流


正确答案:E

第7题:

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

A.Ca2+

B.Cl

C.Na+

D.K+

E.Mg2+


参考答案:B

第8题:

膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。


正确答案:D

第9题:

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是

A.K+

B.Na+

C.Ca2+

D.Cl-

E.Mg2+


正确答案:D

第10题:

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。


正确答案:D