抑制性突触后电位产生的离子机制是（）
第1题：
(备选答案)
A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl-
E.H+
1.促使轴突末梢释放神经递质的离子是
2.可产生抑制性突触后电位的离子基础是
3.静息电位产生的离子基础是
第2题：
突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位
A.Ca2+
B.Cl
C.Na+
D.K+
E.Mg2+
第3题：
A、K+
B、Na+
C、Ca2+
D、Cl-
E、H+
第4题：
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl—
E.Mg2+
第5题：
抑制性突触后电位产生的离子机制主要是
A．Na+内流
B．K+外流
C．Ca2+内流
D．Cl-内流
E．Na+内流和K+外流
第6题：
可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．H+
第7题：
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A．K+
B．Na+
C．Ca2+
D．Cl-
E．Mg2+
第8题：
膜对哪种离子的通透性升高时，可产生抑制性突触后电位（ ）。
第9题：
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是（ ）。
第10题：