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金属基底冠除气目的，下列说法正确的是（）A、去除铸造过程中形成的氧化膜B、去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物C、排除合金中残留的气体D、避免瓷熔附时出现气泡E、在基底表面形成氧化膜

题目

金属基底冠除气目的，下列说法正确的是（）

  • A、去除铸造过程中形成的氧化膜
  • B、去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物
  • C、排除合金中残留的气体
  • D、避免瓷熔附时出现气泡
  • E、在基底表面形成氧化膜
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第1题：

单选题
50～100p；micro；m的氧化铝主要用于（）。
A

贵金属基底冠的粗化

B

半贵金属基底冠的粗化

C

非贵金属基底冠的粗化

D

去除铸件表面的包埋料

E

去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜


正确答案： C
解析： 暂无解析

第2题：

金属基底冠除气目的，下列说法正确的是（）

  • A、去除铸造过程中形成的氧化膜
  • B、去除金属基底金属-烤瓷结合面的氧化物
  • C、排除合金中残留的气体
  • D、避免瓷熔附时出现气泡
  • E、在基底表面形成氧化膜

正确答案:C,D,E

第3题：

通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作不能到的是

A．去除金属表面有机物

B．释放金属表层气体

C．释放金属内部应力

D．在金属表面形成氧化膜

E．降低金属热膨胀系数


正确答案：E

第4题：

50～100p；micro；m的氧化铝主要用于( )。

A、贵金属基底冠的粗化

B、半贵金属基底冠的粗化

C、非贵金属基底冠的粗化

D、去除铸件表面的包埋料

E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜


参考答案：C

第5题：

某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下操作步骤错误的是

A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物

B、用钨钢钻磨除贵金属表面的氧化物

C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形

D、使用橡皮轮磨光金属表面

E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面


参考答案：D

第6题：

通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作不能达到的目的是

A．去除金属表面有机物

B．释放金属表层气体

C．释放金属内部应力

D．在金属表面形成氧化膜

E．降低金属热膨胀系数


正确答案：E

第7题：

通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作的目的是

A．便于遮色层附着

B．去除金属表面有机物

C．释放金属表层气体

D．释放金属内部应力

E．在金属表面形成氧化膜


正确答案：BCDE

第8题：

通过对金属基底冠进行除气，预氧化操作能达到

A．去除金属表面有机物

B．释放金属表层气体

C．释放金属内部应力

D．在金属表面形成氧化膜

E．降低金属热膨胀系数


正确答案：ABCD

第9题：

50～100μm的氧化铝主要用于

A、贵金属基底冠的粗化

B、半贵金属基底冠的粗化

C、非贵金属基底冠的粗化

D、去除铸件表面的包埋料

E、去除铸件表面在铸造过程中形成的氧化膜


参考答案：C

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