下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可D、理想的氧层厚度是0.2～2μmE、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系

题目

下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）

A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜
B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可
C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可
D、理想的氧层厚度是0.2～2μm
E、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系

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第1题：

单选题

关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，哪项正确？（　　）

A

合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2/μm

B

机械性的结合力起最大的作用

C

贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mm

D

贵金属合金上瓷前需预氧化

E

金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度

正确答案： E

解析：暂无解析

第2题：

下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）

A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜
B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可
C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可
D、理想的氧层厚度是0.2～2μm
E、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系

正确答案:A,C,D

第3题：

关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是（）。

A、合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm
B、机械性的结合力起最大的作用
C、贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mm
D、贵金属合金上瓷前需预氧化
E、金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度

正确答案:D

第4题：

金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是（）。

A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜
B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜
C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜
D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同
E、理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

正确答案:A

第5题：

关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是

A.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm
B.贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mm
C.机械性的结合力起最大的作用
D.贵金属合金上瓷前需预氧化
E.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度

答案：D

解析：

第6题：

关于影响合金与烤瓷结合的因素的说法，正确的是

A.贵金属合金上瓷前需预氧化
B.贵金属合金基底冠的厚度为0.2～0.3mm
C.机械性的结合力起最大的作用
D.金属的熔点要低于烤瓷材料的烧结温度
E.合金表面氧化膜的厚度一般小于0.2μm

答案：A

解析：

第7题：

PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是

A．非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

B．贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

C．巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

D．非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同

E．理想的氧化膜厚度为0.2～2μm

正确答案：A

第8题：

金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物

B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物

C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形

D、禁止使用橡皮轮磨光

E、用50～100μm的氧化铝喷砂

PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜

B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜

C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜

D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同

E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm

参考答案：问题 1 答案：C

问题 2 答案：A

题目

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