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在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

题目

在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（）。

  • A、晶体缺陷
  • B、温度
  • C、杂质浓度
  • D、掺杂工艺
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第1题：

N型半导体多数载流子浓度取决于()。


参考答案：掺杂浓度

第2题：

杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()

A、掺杂浓度

B、工艺

C、温度

D、晶体缺陷


参考答案：A

第3题：

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。

A、掺杂种类

B、掺杂浓度

C、温度

D、电压


参考答案：B,C

第4题：

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

E.空穴

F.自由电子


参考答案：AC

第5题：

自由电子为多数载流子，空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()


参考答案：错误

第6题：

电子为多数载流子的杂质半导体称为()半导体。


参考答案：N型

第7题：

杂质半导体中的少数载流子浓度取决于()

A、掺杂浓度

B、工艺

C、温度

D、晶体缺陷


参考答案：C

第8题：

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A、杂质浓度

B、温度

C、输入

D、电压


参考答案：A

第9题：

在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

A、温度

B、杂质浓度

C、原本征半导体的纯度


参考答案：B

第10题：

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体缺陷

正确答案:A

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