温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度（）

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第1题：

杂质半导体中的多数载流子浓度取决于()

A、掺杂浓度

B、工艺

C、温度

D、晶体缺陷

参考答案：A

第2题：

在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

A、温度

B、杂质浓度

C、原本征半导体的纯度

参考答案：B

第3题：

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。

A、掺杂种类

B、掺杂浓度

C、温度

D、电压

参考答案：B,C

第4题：

PN结在未达到平衡前存在两种载流子的运动，即（）

A、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的扩散
B、载流子的浓度差引起的多子的漂移，电场引起的少子的漂移
C、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的扩散
D、载流子的浓度差引起的多子的扩散，电场引起的少子的漂移

正确答案:D

第5题：

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷

正确答案:A

第6题：

本征半导体温度升高后，两种载流子浓度不再相等。()

参考答案：错误

第7题：

在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于() ,而多数载流子的浓度则与()有很大关系。

A.温度

B.掺杂工艺

C.杂质浓度

D.晶体缺陷

E.空穴

F.自由电子

参考答案：AC

第8题：

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A、杂质浓度

B、温度

C、输入

D、电压

参考答案：A

第9题：

在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。

正确答案:温度

第10题：

在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（），而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。

A、温度
B、掺杂工艺
C、杂质浓度
D、晶体缺陷
E、空穴
F、自由电子

正确答案:A,C

温度升高，本征载流子浓度（）；杂质半导体中少子浓度（），多子浓度

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