半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加

题目
单选题
半导体受光照、外电场作用,载流子浓度就要发生变化,这时半导体处于非平衡态。光照时()的浓度几乎不变,()的浓度却大大增加,因而可以说,一切半导体光电器件对光的响应都是()的行为。请选择正确的答案()
A

多子---少子---少子;

B

少子---多子---多子;

C

多子---多子---多子

D

少子---少子---少子。

参考答案和解析
正确答案: A
解析: 暂无解析
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第1题:

N型半导体多数载流子浓度取决于()。


参考答案:掺杂浓度

第2题:

在掺杂半导体中多数载流子的浓度取决于()。

A、温度

B、杂质浓度

C、原本征半导体的纯度


参考答案:B

第3题:

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于();当杂质浓度一定时,少数载流子的浓度与()有关。

A、掺杂种类

B、掺杂浓度

C、温度

D、电压


参考答案:B,C

第4题:

半导体的界面或表面被()产生载流子后,生成的()和()由于载流子的作用向相反的方向漂移,引起载流子极化,从而产生了因光照射引起的电流。


正确答案:光照射;电子;空穴

第5题:

在纯净半导体内掺入适量的硼元素后,整个半导体()。

  • A、空穴的浓度大大高于自由电子的浓度
  • B、自由电子的浓度大大高于空穴的浓度
  • C、空穴和自由电子的浓度不变

正确答案:A

第6题:

本征半导体温度升高后,两种载流子浓度不再相等。()


参考答案:错误

第7题:

在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

  • A、温度
  • B、掺杂工艺
  • C、杂质浓度
  • D、晶体缺陷

正确答案:A

第8题:

杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A、杂质浓度

B、温度

C、输入

D、电压


参考答案:A

第9题:

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。


正确答案:温度

第10题:

关于本征半导体载流子,下面描述错误的是:()

  • A、自由电子和空穴总是成对出现
  • B、电子可以自由移动,空穴不能自由移动
  • C、在温度升高和受光照射时,载流子的数目将增加
  • D、自由电子和空穴在外电场作用下,运动方向相反,形成的电流方向相同,总电流是两者之和

正确答案:D