第1题：
A、温度
B、杂质浓度
C、原本征半导体的纯度
第2题：
此题为判断题(对，错)。
第3题：
A、掺杂种类
B、掺杂浓度
C、温度
D、电压
第4题：
掺杂半导体中多数载流子的浓度主要取决于（），它与（）几乎没有关系；而少数载流子的浓度则主要与（）有关，因而它的大小与（）有关
第5题：
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
第6题：
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
E.空穴
F.自由电子
第7题：
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
第8题：
A、杂质浓度
B、温度
C、输入
D、电压
第9题：
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（）有很大关系。
第10题：
在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于（） ，而多数载流子的浓度则与（）有很大关系。