关于晶体三极管的漏电流，以下说法正确的是（）。A、相同功率的锗管漏电流大于硅管B、NPN管漏电流小于PNP管C、电压升高一倍漏电流增大一倍D、NPN管漏电流大于PNP管

解:选D。由于电压堡垒Ud的大小：硅材料为0.7V，锗材料为0.2V，排除A、C。三极管的结构分为平面型（NPN）、合金型（PNP）。

PNP和NPN型半导体三极管具有几乎等同的特性，只是各电极端的电压极性和电流流向不一样，如题解图所示。



晶体管工作于放大状态的外部条件是：发射结正偏，集电结反偏。三个电极的电位关系为：NPN管，UC＞UB＞UE；PNP管，UC＜UB＜UE。
正向压降：
①NPN型硅管为+（0.6～0.8）V，PNP型硅管为-（0.6～0.8）V；
②NPN型锗管为+（0.2～0.4）V，PNP型锗管为-（0.2～0.4）V。
三极管放大状态时，基极电位为三个极电位中的中间数值，因此可以确定9.8V为基极B。与基极相差0.7V或0.2V的极为发射极，可以确定10V为发射极E，基极相差0.2V，所以是锗管，那么6V为集电极C。
根据各极电位确定电流方向为由发射极流向基极，可确定为PNP锗管。

由PN结特性可知，三极管的基极与发射极之间的电压UBE为一固定值，对于硅管，为0.7V左右；对于锗管，为0.3V左右。因为UBE不会超过0.7V左右或0.3V左右，所以UC为集电极电压，则本题中UC＝－6V。又因为当PNP三极管工作在放大区时电压UE＞UB＞UC，NPN三极管工作在放大区时电压UC＞UB＞UE。由于UC电压最小，则三极管类型是PNP。通过发射极电压UE＝－2V与基极电压UB＝－2.6V之间的差值UBE＝0.6V＜0.7V可以判断，三极管为硅管。