什么叫管材的“刻痕效应”?如何避免“刻痕效应”的发生?

题目

什么叫管材的“刻痕效应”?如何避免“刻痕效应”的发生?

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相似问题和答案

第1题:

什么叫霍桑效应?心理学家如何解释这个效应?


答案:
解析:
所谓“霍桑效应”,是指那些意识到自己正在被别人观察的个人具有改变自己行为的倾向,来源于美国西方电器公司霍桑工厂的工人效率研究。心理学家梅奥在进行霍桑试验的过程中提出了管理理论中新的人性观:社会人假设。梅奥认为人最主要的激励来源是社会需要的满足,良好的人际关系和事业上的成就。与部门的奖励和控制相比,职工更容易对同级同事们组成群体的社交因素作出反应;职工对于管理部门的反应达到什么程度,要看主管对下级的归属需要、被人接受的需要以及身份感的需要能够满足到什么程度。在霍桑实验中,正是由于企业对于项目的重视,使员工在参与过程中感受到了关注与荣光,从而提高了工作的效率。

第2题:

什么叫电流的热效应、磁效应、化学效应?


正确答案: 当电流通过导体时,由于电阻的存在,将产生功率损耗而引起发热,这种效应成为热效应;
电流在其周围的空间产生磁场,这磁场将使载流导体或铁磁物质受到力的作用,成为磁效应;
电流通过盐类、碱类和酸性溶液时,能够时它们分解转化为化学能或其他形式的能,称为化学效应。

第3题:

什么叫远近效应?在什么系统中远近效应问题较突出?如何克服?


参考答案:当基站同时接收从两个距离不同的移动台发来的信号时,距基站近的移动台B到达基站的功率明显要大于距离基站远的移动台A的到达功率,若二者的频率相近,则距离基站近的移动台B就会造成对距基站远的移动台A有用信号的干扰或抑制,甚至将移动台A的有用信号淹没。这种情况就成为远近效应。克服远近效应的措施主要有两个:1、使两个移动台的所用频道拉开必要的间隔2、移动台端加自动功率控制,使所有工作的移动台达到基站的功率基本一致。

第4题:

什么叫光电效应?光电效应有哪几种?什么叫外光电效应、内光电效应、光电导效应、光生伏特效应?


正确答案:1)光电效应:当一个光子和原子相碰撞时,将其能量全部交给某一轨道电子,使它脱离原子,光子则被吸收,这种现象称为光电效应。
2)光电效应分为外光电效应、内光电效应和光电伏特效应三种。
3)外光电效应:在光线作用下,物体内的电子溢出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。
4)内光电效应:在光线作用下,物体的导电性能发生变化或产生光生电动势的效应称为内光电效应。
5)光电导效应:在光线作用下,对于半导体材料吸收了入射光子能量,若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度,就激发出电子—空穴对,使载流子浓度增加,半导体的导电性增加,阻值减低,这种现象称为光电导效应。
6)光电伏特效应:在光线的作用下能够使物体产生一定方向的电动势的现象称为光电伏特效应。基于该效应的光电器件有光电池。

第5题:

什么叫边缘和末端效应?如何减少边缘和末端效应?


正确答案:线圈上的磁场方向是向各个方向伸展的。当线圈达到被测试件边缘时,由于边缘信号的作用,涡流发生变化,这就叫做边缘效应。当检测线圈接近试件的始末两端时,常称作末端效应。在检测线圈上加磁屏蔽或减小检测线圈使边缘效应减少。减少末端效应的办法是线圈屏蔽或减少线圈的长度。

第6题:

什么叫假捻效应?它在纺纱工艺中是如何确定的?


正确答案: 在稳定状态下,假捻器的纱条喂入端存在稳定捻度,其值等于该假捻器在单位时间内加给该段纱条的捻回数与纱条运动速度之比,通常称这个稳定捻度值为假捻器给纱条喂入端的假捻效应。
当中间假捻器对纱条呈消极握持状态时,则假捻器喂入端纱条上的稳定捻度等于该假捻器在单位时间内加给纱条的捻回与通过此假捻器传给纱条的捻回这和对纱条运动速度之比。在实际应用中,应使假捻效应的捻向和真捻传递的捻向相同,这样才能起到增加喂入端纱条强力的作用。

第7题:

什么叫机械压缩效应?什么叫热压缩效应?


正确答案: 机械压缩效应就是将电弧强制通过,具有小孔径喷嘴的孔道,使电弧受到压缩,形成压缩电弧。热压效应即当电弧通过水冷却的喷嘴,同时受到高速冷却气流的冷却作用,而使电弧中心电流密度急剧增加。

第8题:

下列有关计数的历史发展按时间先后排序正确的是()

A.手指计数→结绳记数→刻痕记数→石子记数

B.手指计数→结绳记数→石子记数→刻痕记数→刻痕记数→手指计数

C.手指计数→石子记数→结绳记数→刻痕记数

D.石子记数→结绳记数→刻痕记数→手指计数


参考答案:C

第9题:

()工件的磨削表面是由砂轮上大量磨粒刻划出无数极细的刻痕形成的,工件单位面积上通过的砂粒数越多,则刻痕越多,刻痕的等高性越好,表面粗糙度值越小。


正确答案:几何因素

第10题:

何为擎住效应?危害是什么?如何避免?


正确答案:由于IGBT的结构中内部存在一只NPN型寄生晶体管,当漏极电流大于规定的临界值时,该寄生晶体管因有过高的正偏置被触发导通,使PNP管也饱和导通,结果IGBT的栅极失去控制作用,这就是擎住效应。
IGBT发生擎住效应后漏极电流增大,造成过高的功耗,最后导致器件损坏。
避免措施:
1.不使漏极电流超过临界值;
2.加大栅极电阻,延长IGBT的关断时间。