根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。

第1题：

整流电路主要是利用（）实现的。

• A、半导体器件的单向导电性
• B、半导体器件的电容效应
• C、半导体器件的击穿特性
• D、半导体器件的温度敏感性

第2题：

国产二极管的命名与进口二极管的型号是一样的。

第3题：

第4题：

如何表示国产晶体管型号？怎样命名？

第5题：

某半导体器件的型号为KP50—7的，其中KP表示该器件的名称为（），50表示（），7表示（）

第6题：

半导体器件的参数有多种测试方法，但是对半导体管比较完善的测试方法是动态显示法，为此就应选用半导体管特性图示仪。

第7题：

半导体器件型号中二极管以（）开头。

• A、1

第8题：

利用半导体的光电效应制成的器件叫半导体器件。

第9题：

GB249—74标准规定，半导体器件型号命名及符号意义有五部分组成，第一部分用数字表示器件的电级数目。

第10题：

GB249—74标准规定半导体器件的命名方法由五部分组成，第四部分用数字表示器件的（）。