硅管的导通电压比锗管大,反向电流比锗管(),温度稳定性比锗管()。
第1题:
第2题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
第3题:
A.较大
B.较小
C.相同
第4题:
关于9013,下面()是正确的。
第5题:
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
第6题:
第7题:
硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
第8题:
第9题:
区分硅管和锗管是通过测量BE结的()。
第10题:
硅管比锗管受温度影响()。
判断题锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。A 对B 错
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A 0.4VB 0.5VC 0.6VD 0.7V
锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度()。A、高B、低C、相等D、不定
二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。
硅二极管反向导通电流一般()。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
关于晶体管反向漏电流,以下说法正确是()。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
硅管比锗管受温变影响()。A、较大B、较小C、相同D、不一定
锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。