耗尽型场效应管中，用Vp表示（）电压。

题目

耗尽型场效应管中，用Vp表示（）电压。

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第1题：

()场效应管能采取自偏压电路。

A、增强型和结型

B、耗尽型和结型

C、都不能

D、增强型和耗尽型

参考答案：B

第2题：

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管

参考答案：AB

第3题：

vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。

A.结型管

B耗尽型MOS管

C增强型MOS管

正确答案：C

第4题：

用示波器测得某电压波形，此时灵敏度为0.2V/格，信号的电压差4格（探头衰减×10），则该信号电压为（）。

A、4Vp—p
B、80Vp—p
C、8Vp—p
D、0.8Vp—p

正确答案:C

第5题：

结型场效应管可分为（）。

A、MOS管和MNS管
B、N沟道和P沟道
C、增强型和耗尽型
D、NPN型和PNP型

正确答案:B

第6题：

MOS场效应管有增强型与耗尽型。()

此题为判断题(对，错)。

参考答案：正确

第7题：

场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。

A.增强型

B.耗尽型

C.增强型和耗尽型

D.以上均不对

参考答案:C

第8题：

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。

A、N沟道耗尽型

B、P沟道耗尽型

C、P沟道增强型

D、N沟道增强型

参考答案：A

第9题：

对于绝缘栅场效应管，无论增强型还是耗尽型，只要是N沟道器件，UDS应为负值，衬底接最低电位，UGS越向正值方向增大，硒越小

正确答案:错误

第10题：

结型场效应管的类型有（）。

A、N沟道结型场效应管
B、P沟道结型场效应管
C、N沟道增强型MOS管
D、P沟道增强型MOS管
E、N沟道耗尽型MOS管
F、P沟道耗尽型MOS管

正确答案:A,B

耗尽型场效应管中，用Vp表示（）电压。

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