双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作在放大区的偏置条件是（）。

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第1题：

CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。()

此题为判断题(对，错)。

参考答案：正确

第2题：

功率场效应晶体管一般为()。

A.P沟道耗尽型

B.P沟道增强型

C.N沟道耗尽型

D.N沟道增强型

正确答案：D

第3题：

vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。

A.结型管

B耗尽型MOS管

C增强型MOS管

正确答案：C

第4题：

结型场效应管可分为（）。

A、MOS管和MNS管
B、N沟道和P沟道
C、增强型和耗尽型
D、NPN型和PNP型

正确答案:B

第5题：

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管

参考答案：AB

第6题：

增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。

A、不能形成导电沟道

B、漏极电压为零

C、能够形成导电沟道

D、漏极电流不为零

参考答案：A

第7题：

功率场效应晶体管一般为()。

A、N沟道耗尽型

B、N沟道增强型

C、P沟道耗尽型

D、P沟道增强型

正确答案:B

第8题：

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。

A、N沟道耗尽型

B、P沟道耗尽型

C、P沟道增强型

D、N沟道增强型

参考答案：A

第9题：

N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）

A、正极性
B、负极性
C、零
D、不能确定

正确答案:A

第10题：

绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种

正确答案:正确

双极型晶体管工作在放大区偏置条件是（）增强型N沟道的场效应管工作

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