PN结的反向击穿有雪崩和（）两种击穿。
第1题：
若PN结两侧的杂质浓度高,则形成的PN结反向漏电流大,反向击穿电压高。()
第2题：
A、齐纳击穿
B、雪崩击穿
C、热击穿
第3题：
A、正向击穿
B、反向击穿
C、雪崩击穿
D、齐纳击穿
第4题：
二极管的击穿分两种，一种是（）击穿，另一种为（）击穿。
第5题：
硅稳压管的稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。
第6题：
二极管的击穿分两种,一种是()击穿,另一种为()击穿。
A.雪崩、齐纳
B.虚、实
C.电压、电流
D.PN、NP
第7题：
什么叫PN结的反向击穿？
第8题：
A、两个PN结都被烧坏
B、发射极被击穿
C、集电极被击穿
D、两个PN结都被击穿
第9题：
半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（）。
第10题：
稳压管是利用（）特性来实现稳压功能的。