当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）A、P区；N区；升高；降低B、N区；P区；升高；降低C、N区；P区；降低；升高D、P区；N区；降低；升高

题目

当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）

A、P区；N区；升高；降低
B、N区；P区；升高；降低
C、N区；P区；降低；升高
D、P区；N区；降低；升高

参考答案和解析

正确答案:B

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第1题：

若光子能量足够大，则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量，从价带越过禁带到达导带。()

答案：对

解析：

第2题：

康普顿效应作用过程的特征是（）。

A、产生正负电子对
B、光子的全部能量被转移
C、光子能量不发生转移
D、光子能量部分被转移

正确答案:D

第3题：

当能量大于1.02MeV的γ光子从原子核附近穿过时，可能产生一个正负电子对，而光子本身消失。

A.康普顿效应

B.光电效应

C.电子对生成

D.电离

E.激发

参考答案：C

第4题：

用能量（）禁带宽度的光子照射p-n结会产生光生伏特效应。

A、低于
B、等于或大于
C、大于

正确答案:B

第5题：

当处于激发态的电子又回到基态时可将这部分能量以光子形式发射而产生荧光。

正确答案:错误

第6题：

在湮灭辐射的论述中，不正确的是（）

A、当一个粒子与其反粒子发生碰撞时，其质量全部转化为γ辐射能量
B、正，反粒子发生碰撞产生γ辐射也是一种核反应
C、正，负电子发生碰撞时，产生两个能量为0.511MeVγ光子
D、正，负电子发生碰撞时，产生一个能量为1.022MeVγ光子
E、只有静止能量的正，负电子在湮灭时，产生的两个γ光子运动方向相反

正确答案:D

第7题：

X射线的光子与物质相互作用时，当射线能量达到MeV以上时，会产生电子、正电子对，而光子的能量全部消失，这就是“电子对的生成”效应。

正确答案:正确

第8题：

X射线光子与物质发生相互作用的作用过程是能量传递的过程。当入射光子的能量取值不同时，发生的作用形式是不同的。发生几率不足全部相互作用的5%的是A、相干散射

B、光电效应

C、康普顿效应

D、电子对效应

E、光核作用

光电效应的发生条件是A、人射光子能量与轨道电子结合能必须是接近相等

B、入射光子能量远远小于轨道电子结合能

C、入射光子能量远远大于轨道电子结合能

D、入射光子能量稍小于轨道电子结合能

E、入射光子能量与外层轨道电子结合能相等

当入射光子能量远远大于原子外层轨道电子的结合能时发生A、相干散射

B、光电效应

C、康普顿效应

D、电子对效应

E、光核作用

当入射光子能量等于或大于1．02MeV时可以出现A、相干散射

B、光电效应

C、康普顿效应

D、电子对效应

E、光核作用

当人射光子能量大于物质发生核反应的阈能时，会发生A、相干散射

B、光电效应

C、康普顿效应

D、电子对效应

E、光核作用

参考答案：问题 1 答案：A

问题 2 答案：A

问题 3 答案：C

问题 4 答案：D

问题 5 答案：E

第9题：

当能量大于1.02MeV的γ光子从原子核附近穿过时，可能产生一个正负电子对，而光子本身消失

A、康普顿效应
B、光电效应
C、电子对生成
D、电离
E、激发

正确答案:C

第10题：

在足够能量的光照射太阳电池表面时，在P-N结内建电场的作用下P区的（）向N区运动。

A、电子
B、空穴
C、质子
D、光子

正确答案:A

当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空

题目

参考答案和解析

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