霍尔式传感器的基本原理是：当电流流过放在磁场中的半导体基片，且电流方向与磁场方向垂直上，电荷在洛伦兹力作用下向一侧偏移，在（）电流与磁场的半导体基片的横向侧面上，将产生一个（）。
第1题：
霍尔式曲轴位置传感器利用触发叶片改变通过霍尔元件的磁场强度，从而使霍尔元件产生脉冲的霍尔（）信号，即为曲轴位置传感器的输出信号。
第2题：
置于磁场中的导体或半导体薄片，当有电流通过时，在垂直于电流方向和磁场方向上将产生电动势，称之为（）
第3题：
霍尔效应的原因是（）
第4题：
霍尔式速度传感器测量不准的原因不包括（）。
第5题：
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。
第6题：
霍尔电压与流过基片的电流成（）。
第7题：
霍尔片式压力传感器的霍尔电势Eh的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
第8题：
霍尔电流传感器属于（）传感器。
第9题：
霍尔片式压力传感器的霍尔电势的大小与半导体材料、霍尔片的几何尺寸、所通过的电压频率和磁场方向成正比。
第10题：
霍尔效应是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生（）的物理现象。