关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的（）
第1题：
突触前抑制的特点下列哪一项是错误的
A、突触前膜去极化
B、持续时间长
C、潜伏期较长
D、通过轴突一轴突突触结构的活动来实现
E、轴突末梢释放抑制性递质
第2题：
A.中间兴奋性神经元兴奋
B.突触后膜超极化
C.突触前膜去极化
D.突触前膜释放兴奋性递质
E.突触前膜内递质耗竭
第3题：
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的
A、持续时间长
B、突触前膜去极化
C、潜伏期较长
D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现
E、轴突末梢释放抑制性递质
第4题：
第5题：
下列突触前抑制的描述，哪个是不正确的
A．突触前膜释放递质量减少
B．一定有轴—轴突触存在
C．突触前膜释放抑制性递质
D．多见于感觉传入途径中
第6题：
关于突触的描述中，哪一项是错误的()。
A.是神经元与神经元之间或神经元与非神经元之间特化的细胞连接
B.可分为电突触和化学突触，通常泛指的突触是后者
C.光镜下可分为突触前成分、突触间隙和突触后成分
D.突触前成分包括突触前膜、线粒体和突触小泡
E.突触后膜上有特异性受体
第7题：
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的
A．突触前末梢去极化
B．Ca2+由膜内进入突触前膜内
C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
第8题：
下列关于突触前抑制的叙述，错误的是
A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少
B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质
C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触
D、潜伏期短，持续时间短
E、可调节控制感觉信息的传入活动
第9题：
由膜外进入突触前膜内
、Cl
或Cl
的通透性升高
第10题：