结构基础与突触前抑制不同
到达突触前末梢的动作电位频率高
有多个兴奋同时到达突触前末梢
进人突触前末梢内Ca2+增多
突触后膜有多个EPSP发生总和
第1题:
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的
A.突触前末梢去极化
B.Ca2+由膜内进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
第2题:
第3题:
关于突触前抑制的特点下列哪一项描述是错误的
A、持续时间长
B、突触前膜去极化
C、潜伏期较长
D、通过轴突-轴突突触结构的活动来实现
E、轴突末梢释放抑制性递质
第4题:
第5题:
第6题:
第7题:
第8题:
下列关于突触前抑制的叙述,错误的是
A、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放兴奋性递质减少
B、突触前抑制的产生是由于突触前膜释放抑制性递质
C、突触前抑制建立的结构基础是突触前有轴突-轴突式突触
D、潜伏期短,持续时间短
E、可调节控制感觉信息的传入活动
第9题:
第10题: