单相半桥可控硅整流电路的二组触发脉冲，相位依次相差（）。
第1题：
负载为大电感负载,单相桥式半控整流桥如不加续流二极管,在电路中出现触发脉冲丢失或者触发脉冲的延迟角α增大到180°时电路会出现()现象。
A雪崩击穿
B、二次击穿
C、失控
D、以上都不是
第2题：
单相半桥可控硅整流电路的二组触发脉冲，相位依次相差（）。
A180°；
B60°；
C360°；
D120°。
第3题：
A、六个晶闸管脉冲相位依次差60度
B、共阴极组脉冲相位依次差120度
C、共阳极组脉冲相位依次差120度
D、同一相的上下两个桥臂上的晶闸管脉冲相位相差60度
第4题：
单相半控桥式整流电路只需一个脉冲电路把触发脉冲同时送到两个晶闸管上。
第5题：
常用可控硅整流电路中，（）可控硅整流电路适用于大功率.高电压负载。
第6题：
此题为判断题(对，错)。
第7题：
三相半控桥式整流电路任一相可控硅的触发脉冲，应在控制角α为（）区间的发出。
第8题：
在单相全控桥整流电路中,两对晶闸管的触发脉冲,应依次相差()度。
A、180度
B、60度
C、360度
D、120度
第9题：
在三相半控桥式整流电路中，要求共阴极组晶闸管的触发脉冲之间相位差为（）。
第10题：
在三相桥式半控整流电路中，对于其共阴极组晶闸管的触发脉冲之显相位差是（）。