用QS1型西林电桥测量介损时,怎样选择分流器位置?若被试品电容量

题目

用QS1型西林电桥测量介损时,怎样选择分流器位置?若被试品电容量约为4000pF(U=10kV)分流器应在何位置?

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第1题:

计算题:用QS1电桥测量110KV套管介损tg&时,试验电压为10KV,标准电容CN为50pF;电桥平衡时,R3=345Ω,试计算CX之值。(R4为定值3184Ω)


正确答案: 由已知条件;CN=50pF,R3=345Ω,再由电桥计算公式CX=CNR4/R3=50×3184/345=461.4(pF)答:CX值为461.4pF"

第2题:

采用QS1交流电桥在现场测量设备的tgδ时,若试品的电容量较小,测量中出现负值,一定是存在着电场干扰。


正确答案:错误

第3题:

在QSl西林电桥的测量操作中,若分流器挡位设置电流值大于试品实际电流值,则电桥R3的调节值需趋向最高限制,电桥才能趋向平衡。( )


答案:√

第4题:

在QS1型西林电桥测量操作中,若分流器档位设置电流值较大于试品实际电流值,则电桥的调节值需趋向最高值,电桥R3才能趋向平衡。


正确答案:正确

第5题:

QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。


正确答案:正确

第6题:

在现场测量小电容量试品的介损tgδ值时,使测量结果引入诸多误差的外界因素主要指哪些?


正确答案: 引入误差的主要因素有:
①表面污湿;
②电场干扰、磁场干扰;
③试验引线设置不当;
④气体条件;
⑤周围杂物等。

第7题:

在相同条件下,用QS1型西林电桥测量小电容试品中的tg∮和C时,用正接线方式和反接线方式测量的结果是完全相同的。


正确答案:错误

第8题:

QS1电桥内有一套低压电源和低压标准电容器,可测量电容量为300PF~100μF的试品。

A

B



第9题:

适用QSI型西林电桥测量试品tg∮,接通或断开电源时,检流计灵敏度应在中间位置。


正确答案:错误

第10题:

为什么用QS1型西林电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用正接线好?


正确答案: 小电容(小于500pF)试品主要有电容型套管、电容型电流互感器等。对这些试品采用QS1型西林电桥的正、反接线进行测量时,其介质损耗因数的测量结果是不同的。其原因分析如下。
按正接线测量一次对二次或一次对二次及外壳(垫绝缘)的介质损耗因数,测量结果是实际被试品一次对二次及外壳绝缘的介质损耗因数。而一次与顶部周围接地部分之间的电容和介质损耗因数均被屏蔽掉(电桥正接线测量时,接地点是电桥的屏蔽点)。为了在现场测试方便,可直接测量一次对二次的绝缘介质损耗因数,便可以灵敏地发现其进水受潮等绝缘缺陷,而按反接线测量的是一次对二次及地的介质损耗因数值。由于试品本身电容小,而一次与顶部对周围接地部分之间的电容所占的比例相对就比较大,也就对测量结果(反接线测量的综合介质损耗因数)有较大的影响。
由于正接线具有良好的抗电场干扰,测量误差较小的特点,一般应以正接线测量结果作为分析判断绝缘状况的依据。