产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和（）。
第1题：
高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的（）。
A2倍
B3倍
C5倍
第2题：
高压整流硅堆的额定整流电流应大于工作电流。
A对
B错
第3题：
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
A对
B错
第4题：
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。
第5题：
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
第6题：
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
A对
B错
第7题：
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
A对
B错
第8题：
产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。
A升压试验变压器T
B高压硅堆V
C保护电阻R
第9题：
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
第10题：
高压整流硅堆的额定整流电流应大于工作电流。