光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺（）
第1题：
光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。（）
第2题：
在文档中绘制了多个图形时，这些图形会相互重叠，导致下面的图形被遮盖，需要下方图形显示至上方所要进行的操作是（）。
第3题：
当对处于不同图层上两个图形执行成组命令后，两个图形会如何（）
第4题：
下列关于动态块的制作的顺序正确的是：（）。
第5题：
关于绘制工艺流程图时，设备位号应标注在设备图形的位置，下列说法中不正确的是（）
第6题：
图形处理内容包括（）。
第7题：
下列有关图形的前后关系描述正确的是：（）
第8题：
金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜，带胶蒸发或溅射所需的金属，然后在去除光致抗蚀剂膜的同时，把胶膜上的金属一起去除干净。（）
第9题：
下列关于图层的描述，错误的是（）。
第10题：
下列有关图形的前后关系描述不正确的是：（）