由于干法刻蚀中是同时对晶片上的光刻胶及裸露出来的薄膜进行刻蚀的，所以其（）就比以化学反应的方式进行刻蚀的湿法还来得差。
第1题：
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
第2题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
第3题：
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
第4题：
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）
第5题：
（）是测量在刻蚀过程中物质被移除的速率有多快的一种参数。
第6题：
举例说明各向同性和各向异性刻蚀的特点。
第7题：
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
第8题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
第9题：
刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率，（）是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度，并计算这些点的刻蚀速率而得到的。
第10题：