在半导体工艺中，淀积的薄膜层应满足的参数包含有（）。
第1题：
薄膜包衣时，应注意的事项不包括
A、包衣液应均匀喷雾在片芯表面
B、为掩盖片芯颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣
C、待溶剂挥发干燥后再包下一层
D、注意防止结晶析出以免导致片面不平
E、操作中有机溶剂要回收使用
第2题：
第3题：
薄膜包衣时，应注意的事项不包括下列哪项（ ）。
A．包衣液应均匀喷雾在片心表面
B．为掩盖片心颜色可包数层粉衣后再包薄膜衣
C．待溶剂挥发干燥后再包下一层
D．应注意防止结晶析出以免导致片面不平
E．操作中有机溶剂要回收使用
第4题：
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。
第5题：
表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜，使器件的表面与周围气氛隔离。（）
第6题：
第7题：
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
第8题：
薄膜包衣操作的注意事项，不包括的是
A.包衣溶液应均匀喷洒在片心表面
B.待溶液挥发干燥后再包第二层
C.注意防止结晶的析出致片面不平
D.为掩盖片心颜色，可包数层粉衣后再包薄膜衣
E.操作中有机溶剂要回收使用
第9题：
对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
第10题：
在半导体工艺中，如果淀积的薄膜不是连续的，存在一些空隙，则（）。