简述提高IGZO TFT性能的方法。

题目

简述提高IGZO TFT性能的方法。

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相似问题和答案

第1题：

提高混凝土性能的方法主要包括（）。

A.提高混凝土强度
B.提高混凝土抗变形性能
C.提高混凝土耐久性
D.提高混凝土搅拌时间
E.提高混凝土运输效率

答案：A,B,C

解析：

P17-19
提高混凝土性能包括强度、变形和耐久性几个方面。

第2题：

简述AMOLED驱动的最关键的TFT性能要求。

正确答案:关键的TFT性能要求是：
1）更高的迁移率。对AMOLED显示，要求阵列基板的驱动TFT有较大的电流流过的能力，也就是要求TFT具有更高的开态电流。在适合的开关比下，要有更高的载流子迁移率，一般需要≥1cm²/Vs，最好达到5cm²/Vs以上；
2）更高的均匀性和稳定性。为保证显示效果，需要控制流过每一个OLED器件电流的均匀性和稳定性。因此，要求阵列基板上不同区域内的TFT特性具有更高的均匀性和稳定性。稳定性一般要求阈值电压的偏移△V_TH<1V。

第3题：

热处理是提高金属使用性能和改善()的重要加工方法。

A、切削方法

B、工艺性能

C、物理性能

D、化学性能

参考答案：B

第4题：

简述TFT制作中的各种薄膜采用的成膜方法。

正确答案:栅电极、源漏电极的金属材料：Al、MoW、AlNd/Mo、AlNd/MoN_x、Mo/Al/Mo等采用溅射；像素电极ITO透明氧化物材料采用溅射；栅极绝缘膜SiN_x、SiO_x采用PECVD；半导体层a-Si：H、欧姆接触层n⁺a-Si材料采用PECVD；保护膜（钝化膜）SiN_x材料采用PECVD。

第5题：

简述TFT在液晶显示器中的作用。

正确答案:TFT在液晶显示器中起着开关的作用，器件性能的优劣直接影响图像显示的质量。

第6题：

简述TFT-LCD的工作原理。

正确答案:TFT液晶显示器是普通TN型工作方式。在下基板上要光刻出行扫描和列寻址线，构成一个矩阵，在其交点上制作出TFT有源器件和像素电极。同一行中与各像素串连的场效应管（FET）的栅极是连在一起的。而信号电极Y将同一行中各FET的漏极连在一起。而FET的源极则与液晶的像素电极相连。为了增加液晶像素的驰豫时间，还对液晶像素并联上一个合适电容。
当扫描到某一行时，扫描脉冲使该行上的全部FET导通。同时各列将信号电压施加到液晶像素上，即对并联电容器充电。这一行扫描过后，各FET处于开路状态，不管以后列上信号如何变化，对未扫描行上的像素都无影响，即信号电压可在液晶上保持接近一帧时间，使占空比达到百分之百，而与扫描行数无关。

第7题：

什么叫TFT技术？TFT技术的主要特点是什么？

正确答案: TFT技术是20世纪90年代发展起来的、采用新材料和新工艺的大规模半导体全集成电路制技术，是液晶（LC.、无机和有机薄膜电致发光（EL和OEL）平板显示器的基础。
TFT技术的主要特点有：
①大面积。自十几年前第一代大面积玻璃基板（300mm×400mm）TFTLCD生产线投产，到近年来投入运行的产品，玻璃基板的面积已经扩大到（950mm×1200mm），原则上面积的限制已经不是问题。
②高集成度。用于液晶投影的1.3inTFT芯片的分辨率为XGA，含有百万个像素。分辨率为SXGA（1280×1024）的16.1英寸的TFT阵列非晶体硅的膜厚只有50nm，包括TABONGLASS和SYSTEMONGLASS技术在内，其IC的集成度、对设备和供应技术的要求，难度都超过传统的LSI。
③功能强大。TFT最早作为矩阵选址电路，改善了液晶的光阀特性。对于高分辨率显示器，通过0~6V范围的电压调节（典型值0.2~4V），实现了对像素的精确控制，从而使LCD实现高质量、高分辨率显示成为可能。TFTLCD是人类历史上第一种在显示质量上超过CRT的平板显示器。现在，已经开始把驱动IC集成到玻璃基板上，整个TFT的功能将更加强大，这是传统的大规模半导体集成电路所无法比拟的。
④低成本。玻璃基板和塑料基板从根本上解决了大规模半导体集成电路的成本问题，为推广应用开拓了广阔的空间。
⑤工艺灵活。除了采用溅射、CVD（化学气相沉积）和MCVD（分子化学气相沉积）等传统工艺成膜以外，激光退火技术也开始应用，既可以制作非晶膜、多晶膜，也可以制造单晶膜。不仅可以制作硅膜，也可以制作其他Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族半导体薄膜。
⑥应用领域广泛。以TFT技术为基础的液晶平板显示器是信息社会的支柱产业，其技术可应用到正在迅速成长中的薄膜晶体管有机电致发光（TFT-OLED.平板显示器中。

第8题：

关于业务流模板TFT,以下描述错误的是哪项()。

A.每个承载都有相应的TFT模板

B.PGW保存DL TFT,将SDF绑定到下行EPS承载

C.UE保存UL TFT,将SF绑定到上行EPS承载

D.TFT只能匹配某些准则的分组

答案：A

第9题：

简述ELA技术制备LTPS TFT的缺点，针对ELA技术的问题有哪些解决方案？

正确答案:ELA技术的缺点是：
1）激光器昂贵、光学和机械系统复杂，制作成本高；
2）由于激光尺寸的限制，非晶硅薄膜按区域顺序晶化，不可避免地在两个晶化区域之间有一个晶化程度不同的接缝，载流子迁移率不同，TFT特性不匀均；
3）不均匀性随着驱动基板尺寸的增大而放大，制作大尺寸面板难度大，大型化困难。
解决方案：1）通过增加冗余驱动电路的方法有望解决TFT特性不均匀的现象，应用到大尺寸的OLED面板中。
2）采用相邻像素TFT驱动电路的方法，避开了使用激光束扫描范围重叠部分的TFT驱动技术。

第10题：

简述a-Si：H TFT驱动OLED面临的困难，实现a-Si：H TFT驱动的解决办法？

正确答案:1）OLED驱动要求TFT具有更大的开态电流。非晶硅的载流子迁移率低，亮度不够。开关TFT的关态电流不能超过10^-12A，对非晶硅来说是相当苛刻的要求。
2）阈值电压随时间漂移大，稳定性差，会出现显示图像不均匀现象。
3）为了防止阈值电压变化导致驱动电流的变化，驱动器件最好是工作在饱和区的p沟道器件。非晶硅技术不能制造出合适的p沟道TFT。
4）非晶硅技术存在着过高的光敏性。

简述提高IGZO TFT性能的方法。

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