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微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加

题目

微细加工工艺方法主要有：（），光刻加工，体刻蚀加工技术，面刻蚀加工技术，LIGA技术，（）和（）。

参考答案和解析
正确答案:超微机械加工；封接技术；分子装配技术
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第1题：

通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。

  • A、光刻胶
  • B、衬底
  • C、表面硅层
  • D、扩散区
  • E、源漏区

正确答案:A,B

第2题：

刻蚀工艺有哪两种类型？简单描述各类刻蚀工艺。


正确答案:刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。
干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料，一般用于亚微米尺寸。
湿法刻蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料，一般用于尺寸较大的情况下（大于3微米）。

第3题：

微尺度加工通常是指零件尺寸很小,立足于微细加工方法和纳米加工技术,比如()。

A、光刻

B、电子束

C、离子束加工

D、激光束加工


参考答案：ABCD

第4题：

微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。

  • A、干法刻蚀、湿法刻蚀
  • B、离子束刻蚀、激光刻蚀
  • C、溅射加工、直写加工
  • D、以上都可以

正确答案:A

第5题：

试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。


正确答案:1）刻蚀时间不能太长。在TFT漏极上过孔，需要刻蚀钝化层P-SiNx约为2500Å，能形成良好的接触环，并且不能刻蚀漏极上面的顶Mo膜层。否则在ITO接触的时候，ITO会把Al还原，所以刻蚀时间不能太长。
2）刻蚀时间又不能太短。在外引线过孔时，需要刻蚀钝化层和绝缘层两层SiNx，钝化层的P-SiNx约2500Å，绝缘层SiNx约3500Å共6500Å，为保证刻蚀干净，刻蚀时间不能太短。因此，刻蚀条件的控制非常关键。

第6题：

（）是所有特种加工方法中最精密、最微细的加工方法，是当代毫微米加工（纳米加工）技术的基础。


正确答案:离子束加工

第7题：

有机性气体大多产生在下列哪道工艺（）。

  • A、离子注入
  • B、刻蚀
  • C、扩散
  • D、光刻

正确答案:D

第8题：

微细机械加工的关键技术有哪些?()

A.微系统建模技术

B.微细加工技术

C.微型机械组装和封装技术

D.自组织成型工艺


正确答案:BCD 

第9题：

实现超微图形成像的（）技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。

  • A、光刻
  • B、刻蚀
  • C、氧化
  • D、溅射

正确答案:A

第10题：

光刻和刻蚀的目的是什么？


正确答案:光刻的目的是将电路图形转移到覆盖于硅片表面的光刻胶上，而刻蚀的目的是在硅片上无光刻胶保护的地方留下永久的图形。即将图形转移到硅片表面。

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