异质基片上高品质叠层的多晶硅型薄膜技术有几种方法？

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第1题：

型片式电感器具有磁漏()。

A.编织

B.薄膜

C.叠层

D.线绕

正确答案：D

第2题：

简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。

正确答案:1）第一次光刻有源岛；
2）第二次光刻栅极；
3）第三次光刻n^-区和n⁺区掺杂；
4）第四次光刻p⁺区掺杂；
5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极；
6）第七次光刻金属M₃层和第八次光刻过孔
7）第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiN_x等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和L_os区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH₃）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为10¹⁷~10¹⁸cm^-3，为轻掺杂的电子导电的n^-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的L_os区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为10²⁰~10²¹cm^-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n⁺区、部分轻掺杂的n^-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n^-区主要用于形成LDD结构的L_os区。重掺杂的n⁺区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。

第3题：

耐热性好、可靠性高的片式电感器为()电感。

A.叠层型

B.编织型

C.线绕型

D.薄膜型

正确答案：A

第4题：

通过调节喷枪支架调节喷枪的喷雾角度，使喷雾与基片成（）。开始时，为压住基片表面的粉尘，基片不受磨损，使基片表面快速粘附一层薄膜，要调节流（）和（），加大喷衣溶液流速，达到（）的理想雾化状态。当包衣溶液已将基片的表面形成一层薄膜后，要逐渐减少喷衣溶液的流速，才能保持片床稍感潮湿但不相粘的理想雾化状态。

正确答案:90°角；量调节器；喷枪调节螺栓；片床稍感潮湿但不相粘

第5题：

简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。

正确答案:1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。

第6题：

耐热性好,可靠性高的片式电感为()电感

A、叠层型

B、编织型

C、线绕型

D、薄膜型

参考答案：A

第7题：

简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。

正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。

第8题：

单位体积电感量较大的片式电感器是()。

A.薄膜型

B.线绕型

C.编织型

D.叠层型

正确答案：C

第9题：

钻立方铂金膜中经过离子轰击技术的是（）

A、清洁膜基片
B、加硬膜减反射膜
C、基片减反射膜
D、防静电层清洁膜

正确答案:B

第10题：

有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法？

正确答案: 常压化学气相淀积（APCVD.，
低压化学气相淀积（LPCVD.，
等离子体辅助CVD。

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