在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。

题目
判断题
在常规热氧化工艺中干氧氧化的速度最快。
A

B

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相似问题和答案

第1题:

说明水汽氧化的化学反应,水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢?为什么?


正确答案:化学反应:Si+2H2O->SiO2+2H2
水汽氧化与干氧氧化相比速度更快,因为水蒸气比氧气在二氧化硅中扩散更 快、溶解度更高

第2题:

以下油脂中,发生热氧化聚合速度最快的是().

  • A、大豆
  • B、橄榄油
  • C、花生
  • D、亚麻油

正确答案:D

第3题:

简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。


正确答案: 如果假设硅中的杂质分布是均匀的,而且氧化气氛中又不含有任何杂质,则再分布有四种可能。①分凝系数m<l,且在SiO2中是慢扩散的杂质,也就是说在分凝过程中杂质通过SiO2表面损失的很少,硼就是属于这类。再分布之后靠近界面处的SiO2中的杂质浓度比硅中高,硅表面附近的浓度下降。②m<1,且在SiO2中是快扩散的杂质。因为大量的杂质通过SiO2表面跑到气体中去,杂质损失非常厉害,使SiO2中的杂质浓度比较低,但又要保证界面两边的杂质浓度比小于1,使硅表面的杂质浓度几乎降到零,在H2气氛中的硼就属于这种情况。③m>1,且在SiO2中慢扩散的杂质。再分布之后硅表面附近的杂质浓度升高,磷就属于这种杂质。④m>l,且在SiO2中快扩散的杂质。在这种情况下,虽然分凝系数大于1,但因大量杂质通过SiO2表面进入气体中而损失,硅中杂质只能不断地进入SiO2中,才能保持界面两边杂质浓度比等于分凝系数,最终使硅表面附近的杂质浓度比体内还要低,镓就是属于这种类型的杂质。对于m=1,而且也没有杂质从SiO2表面逸散的情况,热氧化过程也同样使硅表面杂质浓度降低。这是因为一个体积的硅经过热氧化之后转变为两个多体积的SiO2,由此,要使界面两边具有相等的杂质浓度(m=1),那么杂质必定要从高浓度硅中向低浓度SiO2中扩散,即硅中要消耗一定数量的杂质,以补偿增加的SiO2体积所需要的杂质。

第4题:

在A/D转换原理中,采用逐次逼近式其转换速度是最快的。


正确答案:错误

第5题:

在太阳系速度大比拼中,()绕太阳运转的速度最快。

  • A、水星
  • B、地球
  • C、木星
  • D、火星

正确答案:A

第6题:

在较密介质中()。

  • A、红光折射率小,传播速度最快
  • B、红光折射率大,传播速度最快
  • C、蓝光折射率大,传播速度最快
  • D、蓝光折射率大,传播速度最慢

正确答案:A

第7题:

病原体检测方法中检测速度最快的是:()

  • A、直接镜检
  • B、免疫荧光
  • C、核酸探针
  • D、PCR
  • E、常规培养鉴定

正确答案:A

第8题:

在漫长的进化历程中,进化速度最快的是() 


正确答案:哺乳类

第9题:

在同一介质中,传播速度最快的波是()。


正确答案:纵波

第10题:

在竞技游泳比赛中,()泳姿速度最快

  • A、蛙泳
  • B、爬泳
  • C、蝶泳

正确答案:B