磁记忆效应的微观机理是,在地磁场激励下,铁磁性金属材料在应力集中区域发生磁畴组织的重新取向,这种重新取向是可逆的。

题目
判断题
磁记忆效应的微观机理是,在地磁场激励下,铁磁性金属材料在应力集中区域发生磁畴组织的重新取向,这种重新取向是可逆的。
A

B

参考答案和解析
正确答案:
解析: 磁性材料在承载情况下,受地磁场激励,在应力和变形集中区域会发生具有磁致伸缩性质的磁畴组织定向的和不可逆的重新取向。
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相似问题和答案

第1题:

铁磁性材料内部自发磁化的小区域称为()。

  • A、磁畴
  • B、磁矩
  • C、磁化
  • D、畴壁

正确答案:A

第2题:

什么是磁机械效应、磁记忆效应?


正确答案: 机械零部件和金属构件发生损坏的主要根源,是各种微观和宏观机械应力集中。在应力集中区域,腐蚀、疲劳和蠕变过程的发展最为激烈。机械应力同铁磁材料的自磁化现象和残磁状况有直接的联系,在地磁作用的条件下,缺陷处的导磁率减小,工件表面的漏磁场增大,铁磁性材料的这一特性称为磁机械效应。磁机械效应的存在使得铁磁性金属工件的表面磁场增强,这一增强了的磁场―记忆‖着部件的缺陷或应力集中的位置,这就是―磁记忆‖效应。

第3题:

由于()在材料中存在着自发磁畴,因而在进行涡流探伤时,在这种材料中既有涡流磁场,也存在磁畴形成的磁场.

  • A、有色金属
  • B、稀有金属
  • C、铁磁金属
  • D、贵金属

正确答案:C

第4题:

什么是单磁畴?什么样的条件下会出现单磁畴?


正确答案: 单磁畴:在没有外加磁场时,磁性物质会分成很多小的区域,这种小的区域就称为磁畴,如果一种物质内部只存在一个磁畴,就叫做单磁畴。
当颗粒小到一定尺寸时,就会变成颗粒中仅有一个磁畴,其原因是磁壁是一个界面,也有界面能。

第5题:

未磁化的铁磁性材料中().

  • A、磁畴的排列利于电子的传导;
  • B、磁畴的方向无规律,因而互相抵消;
  • C、磁畴方向一致;
  • D、在材料中产生出北极和南极.

正确答案:B

第6题:

集中表现磁性的物体叫()。

  • A、磁系
  • B、磁铁
  • C、磁化
  • D、磁畴

正确答案:B

第7题:

在磁粉检测中,表面或近表面缺陷的取向与磁力线方向()时,才有最良好的磁痕显示。


正确答案:垂直

第8题:

金属材料在交变磁场作用下产生涡流,根据涡流的大小和分布可检出铁磁性材料的缺陷,称这种检出缺陷的方法为磁粉探伤。


正确答案:错误

第9题:

激励绕组的功能是()。

  • A、发现试件中涡流变化
  • B、在试件中激励出涡流
  • C、发现试件中的分子磁矩
  • D、激励出试件磁畴

正确答案:B

第10题:

何谓磁畴?简述铁磁质磁畴结构特点,并指出磁畴结构和磁畴壁结构的决定因素;磁畴壁的本质是什么?有几种类型?


正确答案: (1)磁畴,指铁磁质内部自发磁化至饱和状态(原子磁矩同向平行排列)的小区域。
(2)磁畴结构,是对磁畴的形态、尺寸、取向、畴壁类型、畴壁厚度及其组成形式的一种描述,类似金属材料的组织,因此也称磁畴组态。 
磁畴结构的特点:
A.磁畴分为主畴和副畴,主畴一般都为大而长的片状或棱柱状,通常沿晶体易磁化方向;副畴多为短而小的三角形,不能保证都出现在易磁化方向;
B.相邻磁畴通过主畴、副畴和磁畴壁组合形成自己封闭的磁回路;
C.相邻磁畴之间是磁畴壁,它是自旋磁矩改变方向的过渡区;
D.磁畴的尺度通常小于晶粒,畴壁不能穿越晶界。
磁畴是自发磁化的结果,但决定磁畴结构的却是体系中的各种能量因素。
(3)决定磁畴结构的因素
以下能量因素决定磁畴的结构。其原则是使体系的内能最低。 交换能最低:倾向于让所有自旋磁矩同方向平行排列,形成磁单畴。退磁能最低:倾向于让所有磁畴均形成封闭磁回路。
磁弹性能最低:倾向于形成多数量、小尺寸、多方向、应变自恰的磁畴结构。 磁各向异性能最低:倾向于让所有磁化方向均处于易磁化晶向。
上述各种能量因素都希望自身所诱发的能量在系统总能量中所占比例尽可能低,但它们所倾向的磁畴结构却经常是相互矛盾的。各种能量因素经矛盾运动,最后结果是形成的磁畴结构一定是使体系总的能量处于最低状态。
(4)磁畴壁是相邻磁畴之间自旋磁矩转向的过渡区。有两种类型。
B.looh壁:畴壁内所有自旋磁矩变向的转轴垂直于壁面。
N.eel壁:畴壁内所有自旋磁矩变向的转轴平行于壁面。其厚度和类型主要由交换能和磁各向异性能决定
(1)交换能:畴壁越厚,交换能越低,当然磁畴壁厚度增加,牵涉的过渡原子总数会增加,这会改变总的畴壁能及其构成。
(2)磁各向异性能:畴壁越薄,磁各向异性能越低。但最后的畴壁厚度一定使体系总畴壁能最低。