掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。

题目
单选题
掩膜ROM在制造时通过光刻是否连接MOS管来确定0和1,如果对应的某存储单元位没有连接MOS管,则该位信息为()。
A

不确定

B

0

C

1

D

可能为0,也可能为1

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相似问题和答案

第1题:

结型场效应管的类型有()。

A.N沟道结型场效应管

B.P沟道结型场效应管

C.N沟道增强型MOS管

D.P沟道增强型MOS管

E.N沟道耗尽型MOS管

F.P沟道耗尽型MOS管


参考答案:AB

第2题:

一个MOS管当栅极与漏极短接时,该MOS管可以作为()。

  • A、二极管
  • B、负载电容
  • C、负载电感
  • D、有源负载

正确答案:D

第3题:

vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。

A.结型管

B耗尽型MOS管

C增强型MOS管


正确答案:C

第4题:

MOS管


正确答案:是金属--氧化物--半导体场效应管的英文缩写。

第5题:

用KX206连接pioneer进行mos测试时,出现mos分值持续在1左右,下面的解决方法合理的是:()。

  • A、检查耳机线是否插紧,并重新插拔一下
  • B、检查手机的音量是否为2-3格,不是的话必须在通话的过程中调整过来
  • C、CH通道是否选对
  • D、检查数据线是否存在问题
  • E、检查mos盒是否存在问题

正确答案:A,B,C,D,E

第6题:

CCD(电荷耦合器件)的基本单元是MOS电容,在P型硅基质上,通过氧化生成的氧化膜,即二氧化硅绝缘层,再在绝缘层上通过蒸发和()形成条形金属电极就构成了MOS结构。

  • A、光刻技术
  • B、转移电荷
  • C、光电效应
  • D、光电转化

正确答案:A

第7题:

单极型集成电路不包含().

  • A、普通晶体管(NPN管或PNP管)
  • B、P沟道MOS管
  • C、N沟道MOS管
  • D、互补型MOS(即CMOS)

正确答案:A

第8题:

在连接AQM模块时,TI8.x可以进行PESQ(MOS)测试

A.错误

B.正确


参考答案:B

第9题:

在MOS测试中推荐手机数据线连接到USB Hub上


正确答案:错误

第10题:

静态RAM的基本存储电路,是由6个MOS管组成的()来存储信息的;动态RAM芯片是以MOS管栅极()是否充有电荷来存储信息的。


正确答案:触发器;电容