简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。

题目
问答题
简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。
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相似问题和答案

第1题:

试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。


参考答案:GTR的容量中等,工作频率一般在10kHz以下,电流控制型器件,所需驱动功率较大。MOSFET器件容量较小,工作频率最高,可达100kHz以上,电压控制型器件,所需驱动功率最小,但其通态压降大,开通损耗相应较大。IGBT的容量和GTR的容量属同一等级,但为电压控制型器件,驱动功率小,工作频率高,有取代GTR之势。

第2题:

IGBT驱动电路大多采用集成式电路。


正确答案:正确

第3题:

目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。 ()

此题为判断题(对,错)。


答案:错

第4题:

IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?


正确答案: IGBT驱动电路的特点是:驱动电路具有较小的输出电阻,IGBT是电压驱动型器件,IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。
GTR驱动电路的特点是:驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿,并有一定的过冲,这样可加速开通过程,减小开通损耗,关断时,驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流,并加反偏截止电压,以加速关断速度。
GTO驱动电路的特点是:GTO要求其驱动电路提供的驱动电流的前沿应有足够的幅值和陡度,且一般需要在整个导通期间施加正门极电流,关断需施加负门极电流,幅值和陡度要求更高,其驱动电路通常包括开通驱动电路,关断驱动电路和门极反偏电路三部分。
电力MOSFET驱动电路的特点:要求驱动电路具有较小的输入电阻,驱动功率小且电路简单。

第5题:

功率MOSFET驱动功率小,驱动电路简单,功率增益高,是一种()控制器件。

  • A、电压
  • B、电流
  • C、功率

正确答案:A

第6题:

IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

A、GTR驱动的MOSFET

B、MOSFET驱动的GTR

C、MOSFET驱动的晶闸管

D、MOSFET驱动的GT0


参考答案:B

第7题:

功率开关器件:主要采用()或();现在已经采用一种新型的开关组合方式:MOSFET和IGBT()。


正确答案:MOSFET;IGBT;并联

第8题:

IGBT是一个复合型的器件,它是( )

A.GTR驱动的MOSFET

B.MOSFET驱动的GTR&"160;

C.MOSFET驱动的晶闸管

D.MOSFET驱动的GTO


参考答案:B

第9题:

目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、以及两者混合管和()等等。

  • A、晶闸管
  • B、可控硅
  • C、功率集成器件
  • D、晶体管

正确答案:C

第10题:

目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。


正确答案:错误