问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

题目

问答题

从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

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第1题：

电力MOSFET的开关频率越高,所需要的驱动功率( )。

A、越小

B、不变

C、越大

D、不定

正确答案:C

第2题：

IGBT是一个复合型的器件,它是( )

A.GTR驱动的MOSFET

B.MOSFET驱动的GTR&"160;

C.MOSFET驱动的晶闸管

D.MOSFET驱动的GTO

参考答案：B

第3题：

SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。

A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBT

B.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBT

C.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFE

D.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE

正确答案:C

第4题：

功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。

正确答案:MOSFET；IGBT；并联

第5题：

GBT与场管的区别，正确的有（）

A、场管比IGBT频率高
B、IGBT比场管导通压降低
C、单支IGBT的功率容量比场管容量大
D、IGBT的开关损耗比场管大
E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路

正确答案:A,B,C,D,E

第6题：

IGBT有哪些缺点?( )

A、开关速度不及电力MOSFET

B、开关速度比电力MOSFET快

C、电压、电流容量不及GTO

D、电压、电流容量比GTO大

正确答案:A,C

第7题：

IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

A、GTR驱动的MOSFET

B、MOSFET驱动的GTR

C、MOSFET驱动的晶闸管

D、MOSFET驱动的GT0

参考答案：B

第8题：

IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。

A、GTM

B、GTN

C、GTO

D、GTR

参考答案：C

第9题：

IGBT与场管的区别，正确的有（）

A、场管比IGBT频率高
B、IGBT比场管导通压降低
C、单支IGBT的功率容量比场管容量大
D、IGBT的开关损耗比场管大
E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路

正确答案:A,B,C,D,E

第10题：

UPS常用的电力电子器件有：（）

A、GTR；
B、MOSFET；
C、IGBT；
D、SCR

正确答案:B,C,D

从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

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