列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源。

第1题：

试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？

第2题：

光刻加工的工艺过程为（）

• A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
• B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
• C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

第3题：

在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。

• A、DQN
• B、CA
• C、ARC
• D、PMMA

第4题：

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。

• A、ARC
• B、HMDS
• C、正胶
• D、负胶

第5题：

下列关于AAS与UV－VIS区别的叙述中，错误的是（）。

• A、AAS法是原子吸收线状光谱；UV－VIS法是分子吸收带状光谱
• B、AAS法是连续光源（钨灯、氘灯）；UV－VIS法是锐线光源（空心阴极灯）
• C、AAS法仪器排列顺序为锐线光源→原子化器→单色器→检测器
• D、UV－VIS法仪器排列顺序为光源→单色器→吸收池→检测器

第6题：

下面对于CTP技术的描述中不正确的是（）。

• A、CTP所采用的激光光源按其光谱特性可分为可见光源、红外光源、紫外线光源
• B、采用CTP技术可有效缩短印刷准备时间，充分提高印刷效率
• C、热敏CTP版材可以实现明室操作印刷包装城
• D、UV-CTP版材可采用紫外光曝光，因此不属于CTP版材

第7题：

紫外线曝光测试计是测量（）

• A、光源种类
• B、光波长度
• C、紫外线量
• D、UV印墨

第8题：

在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。

• A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
• B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
• C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
• D、有较高的光敏度
• E、有较高的对比度

第9题：

例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

第10题：

在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。

• A、化学增强
• B、化学减弱
• C、厚度增加
• D、厚度减少