第1题：
A、不能形成导电沟道
B、漏极电压为零
C、能够形成导电沟道
D、漏极电流不为零
第2题：
什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？
第3题：
A、耗尽型
B、增强型
C、P沟道
D、N沟道
第4题：
场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
第5题：
使结型场效应管ID=0的临界栅源电压称为（夹断）电压，N沟道JFET的UGS（off）（）0，P沟道JFET的UGS（off）（）0。
第6题：
第7题：
对沟道效应，沿着主晶轴方向入射时，角分布半宽度的典型值为多少。
第8题：
A、N沟道和P沟道
B、H沟道和P沟道
C、N沟道和H沟道
D、Y沟道和H沟道
第9题：
当栅源电压等于零时，增强型FET（）导电沟道，结型FET的沟道电阻（）。
第10题：
EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。