P沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。

第1题：

第2题：

本征半导体中掺入少量三价元素，构成的是P型掺杂半导体，其中多数的载流子是（）型；若在本征半导体中掺入少量的（）元素，构成的是（）型半导体，其中多数载流子是（）。

第3题：

第4题：

在P型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。

第5题：

N型半导体和P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

第6题：

P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。

第7题：

P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。

• A、W型半导体
• B、U型半导体
• C、P型半导体

第8题：

第9题：

P型半导体的多数载流子是空穴，因此P型半导体带正电。

第10题：

P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。