双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么?

题目
问答题
双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么?
如果没有搜索结果或未解决您的问题,请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案

第1题:

解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?


正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上,负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面,这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化,它将留在硅片表面,作为后步工艺的保护层,不需要改变掩膜版的极性,并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀,所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶,深紫外光刻胶。

第2题:

扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺,现在主要被用来制作()。

  • A、埋层
  • B、外延
  • C、PN结
  • D、扩散电阻
  • E、隔离区

正确答案:A,C,D

第3题:

集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺?各有什么优缺点?


正确答案: 扩散工艺分类:按原始杂质源在室温下的相态分类,可分为固态源扩散,液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散(1).开管扩散优点:开管扩散的重复性和稳定性都很好。(2).箱法扩散优点;箱法扩散的硅表面浓度基本由扩散温度下杂质在硅中的固溶度决定,均匀性较好。(3).涂源法扩散缺点:这种扩散方法的表面浓度很难控制,而且又不均匀。(4).杂质源也可以采用化学气相淀积法淀积,这种方法的均匀性、重复性都很好,还可以把片子排列很密,从而提高生产效率,其缺点是多了一道工序。液态源扩散液态源扩散优点:系统简单,操作方便,成本低,效率高,重复性和均匀性都很好。扩散过程中应准确控制炉温、扩散时间、气体流量和源温等。源瓶的密封性要好,扩散系统不能漏气。气态源扩散气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物,这些气体的毒性很大,且易燃易爆,操作上要十分小心。快速气相掺杂(RVD)气体浸没激光掺杂(GILD)

第4题:

实现超微图形成像的()技术一直是推动集成电路工艺技术水平发展的核心驱动力。

  • A、光刻
  • B、刻蚀
  • C、氧化
  • D、溅射

正确答案:A

第5题:

试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。


正确答案:在4次光刻中,第二次光刻有源岛和第三次光刻的源漏电极合为一次光刻,为4次光刻的第二次光刻,光刻次数减少,但工艺难度大大增大。
第二次光刻的工艺流程概括为:连续沉积薄膜→涂胶→多段式调整掩膜版曝光→显影→湿法刻蚀→干法刻蚀及灰化→再湿刻和再干法刻蚀。

第6题:

什么是两步扩散工艺,其两步扩散的目的分别是什么?


正确答案: 实际的扩散温度一般为900-1200℃,在这个温度范围内,杂质在硅中的固溶度随温度变化不大,采用恒定表面源扩散很难通过改变温度来控制表面浓度,而且很难得到低表面浓度的杂质分布形式。两步扩散:采用两种扩散结合的方式。第一步称为预扩散或者预淀积:在较低温度下,采用恒定表面源扩散方式。在硅片表面扩散一层数量一定,按余误差函数形式分布的杂质。由于温度较低,且时间较短,杂质扩散的很浅,可认为杂质是均匀分布在一薄层内,目的是为了控制扩散杂质的数量。第二步称为主扩散或者再分布:将由预扩散引入的杂质作为扩散源,在较高温度下进行扩散。主扩散的目的是为了控制表面浓度和扩散深度。两步扩散后的杂质最终分布形式:Dt<主t,主扩散起决定作用,杂质基本按高斯函数分布

第7题:

有机性气体大多产生在下列哪道工艺()。

  • A、离子注入
  • B、刻蚀
  • C、扩散
  • D、光刻

正确答案:D

第8题:

什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?


正确答案: 光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是:刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直;图片内无小岛、不染色、腐蚀干净;图形套合十分准确;介质膜或金属膜上无针孔;硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。

第9题:

光刻加工的工艺过程为()

  • A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗
  • B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散
  • C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

正确答案:B

第10题:

酱香型白酒工艺中的“下沙”和“糙沙”分别指什么?


正确答案:酱香型白酒生产的第一次投料称为下沙,一般都是在重阳节,即阴历的九月初九。每甑投高梁350kg,下沙的投料量占总投料量的50%。酱香型白酒生产的第二次投料称为糙沙,时间一般为下沙一个月后。