对
错
第1题：
刻蚀是把进行光刻前所沉积的薄膜厚度约在数千到数百A之间中没有被（）覆盖及保护的部分，以化学作用或是物理作用的方式加以去除，以完成转移掩膜图案到薄膜上面的目的。
第2题：
疲劳断裂的断口的三个区域分别为（）
第3题：
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么？
第4题：
晶片经过显影后进行坚膜，坚膜的主要作用有（）。
第5题：
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。
第6题：
CASS工艺由三个区域组成，分别为（）兼氧区和主反应区。
第7题：
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么？
第8题：
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
第9题：
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
第10题：
单晶硅刻蚀一般采用（）做掩蔽层，以氟化氢为主要的刻蚀剂，氧气为侧壁钝化作用的媒介物。