光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。

题目
填空题
光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。
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第1题:

通常情况下,我们改变工艺条件使刻蚀进行中()的刻蚀速率尽量低。

  • A、光刻胶
  • B、衬底
  • C、表面硅层
  • D、扩散区
  • E、源漏区

正确答案:A,B

第2题:

解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?


正确答案:光刻胶显影是指用化学显影液溶解由曝光造成的光刻胶的可溶解区域,其主要目的是把掩膜版图形准确复制到光刻胶中。

第3题:

CT扫描层厚对空间分辨率和密度分辨率的影响,正确的是

A、层厚越薄,空间分辨率和密度分辨率越高

B、层厚越厚,空间分辨率和密度分辨率越高

C、层厚越薄,空间分辨率越高,密度分辨率越低

D、层厚越薄,空间分辨率越低,密度分辨率越高

E、以上说法均不对


参考答案:C

第4题:

关于空间分辨率的影响因素,下列叙述中正确的是( )

  • A、频率越高,则纵向分辨率越差
  • B、实际上,轴向分辨率约为波长的1/2
  • C、横向分辨率仅与声束宽度有关
  • D、声束越宽,侧向分辨率越差
  • E、近场与远场的空间分辨率相同

正确答案:D

第5题:

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。

  • A、CA光刻胶对深紫外光吸收小
  • B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化
  • C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强
  • D、有较高的光敏度
  • E、有较高的对比度

正确答案:A,B,C,D,E

第6题:

解释正性光刻和负性光刻的区别?为什么正胶是普遍使用的光刻胶?最常用的正胶是指哪些胶?


正确答案:正性光刻把与掩膜版上相同的图形复制到硅片上,负性光刻把与掩膜版上图形相反的图形复制到硅片表面,这两种基本工艺的主要区别在于所用的光刻胶的种类不同。
正刻胶在进行曝光后留下来的的光刻胶在曝光前已被硬化,它将留在硅片表面,作为后步工艺的保护层,不需要改变掩膜版的极性,并且负性光刻胶在显影时会变形和膨胀,所以正胶是普遍使用的光刻胶传统的I线光刻胶,深紫外光刻胶。

第7题:

有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。

  • A、负胶受显影液的影响比较小
  • B、正胶受显影液的影响比较小
  • C、正胶的曝光区将会膨胀变形
  • D、使用负胶可以得到更高的分辨率
  • E、负胶的曝光区将会膨胀变形

正确答案:A,C,D

第8题:

一般说来,要求声音的质量越高,则(22)。

A.分辨率越低和采样频率越低

B.分辨率越高和采样频率越低

C.分辨率越低和采样频率越高

D.分辨率越高和采样频率越高


正确答案:D
解析:分辨率越高和采样频率越高所得到的声音的质量也越高。

第9题:

制备琼脂糖凝胶时,检测的目的片段越小,越应该配制浓度越低的胶,以增强分辨率。()


正确答案:错误

第10题:

以下对分辨率描述正确的是()

  • A、分辨率越高,文件越大
  • B、分辨率越高,文件越小
  • C、分辨率越低,图像越精细

正确答案:A

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