第1题:
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
第2题:
在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。
第3题:
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
第4题:
第5题:
晶片经过显影后进行坚膜,坚膜的主要作用有()。
第6题:
有关光刻胶的显影下列说法错误的是()。
第7题:
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
第8题:
解释光刻胶选择比。要求的比例是高还是低?
第9题:
第10题:
问答题简述光刻胶的概念及目的
问答题简述光刻胶的成分特征。
问答题解释硬烘烤的目的。光刻胶硬烘烤过度和不足会产生什么问题?
问答题在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
问答题光刻胶厚度随什么变化?
多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀
问答题光刻胶正胶和负胶的区别是什么?
问答题解释光刻胶选择比,要求的比例是高还是低?
填空题光刻工艺的分辨率决定于:()和曝光、显影、刻蚀条件的正确控制。正胶的分辨率()于负胶的分辨率;光刻胶越薄,分辨率越()。
问答题什么是负光刻胶?