列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。

题目
问答题
列出并阐述刻蚀多晶硅的三个步骤。
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相似问题和答案

第1题:

在生产过程中必须使用()来完成浅沟槽隔离STI。

  • A、单晶硅刻蚀
  • B、多晶硅刻蚀
  • C、二氧化硅刻蚀
  • D、氮化硅刻蚀

正确答案:A

第2题:

多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对()的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。

  • A、二氧化硅
  • B、氮化硅
  • C、单晶硅
  • D、多晶硅

正确答案:A

第3题:

简要阐述文员工作的三个步骤,相互关系如何?
文员工作分为三个步骤:计划、实施和检查。
1.计划的步骤,要充分了解即将开始的工作内容,并思考以什么方法进行效率会最佳。
2.实施的步骤,要注意:同时检查是否按照当初所拟定的顺序进行;上司所指示的工作无论是哪一种,都要正确地实施;配合上司预期的期限。
3.检查的步骤,要分析计划和实绩的差异,并把以前进行过的工作或别人做过的工作和目前自己所从事相同性质的工作加以比较分析。
三者的关系为:先作计划,付诸实施,然后检查结果,围绕“计划—实施—检查”这样一个滚动的过程开展。三者相互联系形成一个循环。文员首先要仔细制定计划,然后根据这个计划去实施,并严格检查其结果,使得这个结果对下一次的计划有所帮助和启示。

第4题:

下列组合中哪一种基本上用于刻蚀前者的干刻蚀法大都可以用来刻蚀后者()。

  • A、二氧化硅氮化硅
  • B、多晶硅硅化金属
  • C、单晶硅多晶硅
  • D、铝铜
  • E、铝硅

正确答案:A,E

第5题:

为了避免()在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀,必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。

  • A、多晶硅
  • B、单晶硅
  • C、铝硅铜合金
  • D、铜

正确答案:C

第6题:

晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的()使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。

  • A、n型掺杂区
  • B、P型掺杂区
  • C、栅氧化层
  • D、场氧化层

正确答案:C

第7题:

哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅?描述刻蚀多晶硅的三个步骤。


正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
刻蚀多晶硅的三步工艺:
1.预刻蚀,用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜,并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
3.最后一步是过刻蚀,用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅,并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。

第8题:

访谈结束后,访谈小组应该及时对访谈资料进行总结,请阐述访谈结果共享的三个步骤。


正确答案: 修改补充原始记录、向项目小组介绍访谈情况、做正式的访谈纪要

第9题:

单晶硅刻蚀一般采用()做掩蔽层,以氟化氢为主要的刻蚀剂,氧气为侧壁钝化作用的媒介物。

  • A、氮化硅
  • B、二氧化硅
  • C、光刻胶
  • D、多晶硅

正确答案:B

第10题:

刻蚀要求在整个晶圆上有一个均匀的刻蚀速率,()是在晶圆上由测量刻蚀过程前后特定点的厚度,并计算这些点的刻蚀速率而得到的。

  • A、选择性
  • B、均匀性
  • C、轮廓
  • D、刻蚀图案

正确答案:B