通常利用半导体激光器（LD）和发光二极管伏安特性和响应时间特性对光源进行直接调制。

第1题：

第2题：

电晕放电的伏安特性试验包括冷态伏安特性试验和热态伏安特性试验。

第3题：

第4题：

直流电弧熄灭时在线路内串入电阻可以使（）.

• A、电弧伏安特性上移而与电路伏安特性脱离
• B、电弧伏安特性下移而与电路伏安特性脱离
• C、电路伏安特性上移而与电弧伏安特性脱离

第5题：

发光二极管（LED）和半导体激光器（LD）的工作特性最明显的不同是什么？

第6题：

电晕放电的伏安特性试验包括冷态伏安特性试验和热态伏安特性试验。（）

A对

B错

第7题：

光源一般由（）和半导体激光器（LD）两种。

第8题：

第9题：

PIN光电二极管的主要特性是（）

• A、波长响应特性
• B、量子效率和光谱特性
• C、响应时间和频率特性
• D、噪声

第10题：

内调制方式的强度调制特性主要由半导体光源LD、LED的（）曲线决定。

• A、V-I曲线
• B、P-I曲线