PECVD(等离子增强CVD)

题目
名词解释题
PECVD(等离子增强CVD)
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相似问题和答案

第1题:

二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。


正确答案:氧化;气相

第2题:

简述PECVD设备的特点。


正确答案:P.ECVD设备的优点:
1)可以大面积均匀成膜、生长性好、能在较低的温度下形成致密的薄膜;
2)可防止热产生的损伤及相互材料的扩散;
3)可生长需要低温成膜及及反应速度慢的薄膜;
4)设备内的平行电极方便实现大面积化。

第3题:

制造陶瓷涂层发动机目前最佳的涂层方法是()

  • A、等离子喷涂法
  • B、PVD法
  • C、CVD法
  • D、溶胶-凝胶工艺

正确答案:A

第4题:

简述太阳能电池片制造PECVD的目的及原理?


正确答案:目的:在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜-SiN膜。
P.ECVD技术原理:是利用低温等离子体作能量源,样品置于低气压下辉光放电的阴极上,利用辉光放电(或另加发热体)使样品升温到预定的温度,然后通入适量的反应气体,气体经一系列化学反应和等离子体反应,在样品表面形成固态薄膜。

第5题:

a-Si:H以及合金材料,用()、热CVD、光CVD等气相生长法可以制造薄膜。


正确答案:等离子CVD

第6题:

简述PECVD薄膜沉积的原理。


正确答案:薄膜的沉积原理包括三个基本的过程:
1)等离子体反应,是指等离子体通过与具有能量的电子、离子或者基团等粒子碰撞,使通入到反应室中的气体分子分解的过程。其中等离子体包括自由基、原子和分子等中性粒子,以及离子和电子等非中性粒子。
2)输送粒子到基板表面,等离子体产生的粒子以扩散方式或离子加速的形式输运到基板表面。中性粒子受浓度梯度的驱动以扩散方式输运到基板表面,阳离子受等离子和基板间的电位差驱动而离子加速运动到基板表面。
3)在表面发生反应,当粒子达到基板表面时,通过一系列吸附、迁移、反应,以及中间产物的解吸附过程形成要沉积的薄膜。衬底温度对每一步都是致关重要的。

第7题:

电池片局部点较正常情况下更亮,此现象为()

  • A、PECVD反
  • B、亮斑
  • C、灰斑
  • D、绒丝

正确答案:B

第8题:

质量输运限制CVD和反应速度限制CVD工艺的区别?


正确答案:1、质量传输限制淀积速率
淀积速率受反应物传输速度限制,即不能提供足够的反应物到衬底表面,速率对温度不敏感(如高压CVD)。
2、反应速度限制淀积速率
淀积速率受反应速度限制,这是由于反应温度或压力过低(传输速率快),提供驱动反应的能量不足,反应速率低于反应物传输速度。 可以通过加温、加压提高反应速度。

第9题:

脑血管疾病(CVD)


正确答案: 是由各种病因使脑血管发生病变而导致脑功能缺损的一组疾病的总称。

第10题:

关于CVD涂层,()描述是不正确的。

  • A、CVD对高速钢有极强的粘附性
  • B、CVD是在700~1050℃高温的环境下通过化学反应获得的
  • C、CVD涂层具有高耐磨性
  • D、CVD表示化学气相沉积

正确答案:A