简述硅气相外延的过程?

题目
问答题
简述硅气相外延的过程?
参考答案和解析
正确答案: 在气相外延生长过程中,有两步:
质量输运过程--反应剂输运到衬底表面
表面反应过程--在衬底表面发生化学反应释放出硅原子
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

简述气相色谱法测定环境空气中吡啶时,样品的前处理过程。


正确答案: 将采集的吡啶样品移入60m1(或150m1)分液漏斗中,加入2.00ml二硫化碳和一粒氢氧化钠(约0.05克),振摇2min,静置分层后,放出二硫化碳层,如此再重复操作一次,合并两次的二硫化碳萃取液,等待进样。

第2题:

延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。


正确答案:化学气相;液相;分子束

第3题:

简述气相色谱分析过程?


参考答案:在一定色谱分析条件下,被分析样品完全汽化后,在流速保持一定的惰性气体带动下,进入填充有固定相的色谱柱,在色谱柱中样品被分离成一个个单一的组份并以一定的先后次序从色谱柱流出,进入检测器,转变成电信号,再经放大器放大后,在记录纸上得到一组曲线图.根据色谱峰的位置进行定性,根据色谱峰的峰高或峰面积进行定量。

第4题:

硅的还原从滴落带开始,还原的途径有三种:渣铁反应、渣焦反应、气相SiO2还原,其中()是硅还原的主要途径。

  • A、 渣铁反应
  • B、 渣焦反应
  • C、 气相SiO2还原

正确答案:C

第5题:

简述气相色谱仪的主要组成部分及其工作过程。


正确答案: 气相色谱仪主要由气路系统、进样系统、分离系统(色谱柱)、检测系统、温度控制系统、数据处理、记录系统及电源、电子线路等构成。气源提供的载气减压后,经净化干燥器净化,再通过稳压和稳流环节,以保证得到流动平稳、洁净的载气作流动相,进入色谱柱。当气化室、分离柱、检测器达到操作所需的温度,且载气流量平衡时,将样品由进样器注入,气态样品或经气化室气化了的液态样品被载气带入色谱柱,开始分离过程。由于样品中各组分对两相的分配系数等方面的差异,在色谱柱中经过反复多次吸附-脱附或溶解-析出的分配过程后,依次离开色谱柱,进入检测器。检测器把流入的组分定量地转换成电信号,经放大处理后,送往显示与记录系统,就可得到被测样品各个组分的色谱图。

第6题:

简述气相色谱分析过程中不出峰的原因。


正确答案:分析过程中不出峰,可能的原因:无载气、检测器未开、样品未进去、进错样、系统漏气、氢焰灭火、基线过高,色谱工作站与主机未链接、检测器出故障、色谱仪器条件变化、色谱柱柱效严重降低、检测器灵敏度降低致使低含量的分析不出峰等。

第7题:

简述化学气相沉积工艺过程的要点。


正确答案: 1、涂层的形成是通过气相的化学反应完成的
2、涂层的形核和长大是在基体的表面上进行的
3、所有涂层的反应均为吸热反应,所需热量靠辐射或感应加热供给

第8题:

外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。


正确答案:化学气相;液相;原子束外延

第9题:

简述薄膜材料的形成过程,什么是分子束外延?什么是超晶格?


正确答案: 薄膜形成过程:一般分为凝结过程,岛形成与结合生长过程。
大多数薄膜都是以岛状形式形成和长大,即在基体表面上吸附原子凝结后,在表面上扩散迁移形成晶核,晶核再结合其它吸附原子逐渐长大形成小岛,岛再结合其他气相原子便形成薄膜,因此薄膜形成是由形核开始的。
形核首先经历吸附与凝结过程,原子相互碰撞结合成原子对或小原子团并凝结在基体表面上;这种原子团和其他吸附原子碰撞结合或释放出一个单原子,这个过程反复进行,使原子团中的原子数超过某一临界值,成为临界核,临界核继续与其他原子碰撞结合,只向长大方向发展形成稳定的原子团,称为稳定核;稳定核再捕获其他吸附原子,或者入射原子束中的气相原子直接碰撞在稳定核上被粘附,使稳定核进一步长大成为小岛。通过上述讨论可知,薄膜形成经历了吸附,凝结,临界核形成与长大,稳定核形成长大,最后成为小岛的物理过程。
实际上形核长大只是薄膜形成的开始,薄膜形成的过程是指形成稳定核之后的过程;同样,薄膜生长模式是指薄膜形成的宏观方式。在稳定膜形成之后,岛状薄膜的形成过程,分为岛状、联并、沟道和连续膜四个阶段。岛状阶段是指在核长大变成小岛的过程中,平行基体表而方向的长大速度明显大于垂直方向的长大速度,说明基体表面上吸附原子的扩散迁移碰撞结合是主要的。联并阶段是指岛在不断长大过程中,岛间距离逐渐缩小,最后相邻小岛相互联接合并成一个大岛。沟道阶段是在岛联并后,新岛继续长大,当岛的分布达到临界值时,小岛相互聚结形成网状结构。网状结构中不规则地分布着5—20nm宽的沟渠。连续膜阶段是在沟渠和孔洞消失之后,入射的气相原子直接吸附在薄膜上,通过联并作用形成不同结构的薄膜。
分子束外延:是一种在晶体基片上生长高质量的晶体薄膜的新技术。在超高真空条件下,由装有各种所需组分的炉子加热而产生的蒸气,经小孔准直后形成的分子束或原子束,直接喷射到适当温度的单晶基片上,同时控制分子束对衬底扫描,就可使分子或原子按晶体排列一层层地“长”在基片上形成薄膜。该技术的优点是:使用的衬底温度低,膜层生长速率慢,束流强度易于精确控制,膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。用这种技术已能制备薄到几十个原子层的单晶薄膜,以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成的超薄层量子阱微结构材料。
超晶格:由两种或以上不同、厚度d极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期结构材料。薄层厚度d远大于材料的晶格常数a,但接近或小于电子的自由程。

第10题:

当气相压力降低到0.1atm,碳的脱氧能力大于硅的脱氧能力.


正确答案:正确