P阱CMOS与N阱CMOS相比有什么不同?

题目
问答题
P阱CMOS与N阱CMOS相比有什么不同?
参考答案和解析
正确答案: 使用的衬底不同,NMOS使用的是P阱衬底,PMOS使用的是N阱衬底。
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

与CCD摄像机相比CMOS摄像机功耗更低。


正确答案:正确

第2题:

什么是热阱丧失事故?


正确答案:热阱丧失事故是由于二回路或三回路故障造成一回路冷却剂堆芯入口温度过高引起堆芯冷却能力不足的事故

第3题:

以interver为例,写出N阱CMOS的process流程,并画出剖面图。(科广试题)


正确答案:
     

第4题:

与TTL集成电路相比,CMOS集成电路()。

  • A、功耗更大
  • B、材料不同
  • C、工艺相同
  • D、以上都不正确

正确答案:D

第5题:

从功耗看CMOS电路和晶体管电路相比()。

  • A、CMOS电路高得多
  • B、CMOS电路低得多
  • C、两者差不多
  • D、不确定

正确答案:B

第6题:

在CMOS电路中,要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平,这个单管你会用P管还是N管,为什么


正确答案: 用N管。N管传递低电平,P管传递高电平。N管的阈值电压为正,P管的阈值电压为负。在N管栅极加VDD,在漏极加VDD,那么源级的输出电压范围为0到VDD-Vth,因为N管的导通条件是Vgs>Vth,当输出到达VDD-Vth时管子已经关断了。所以当栅压为VDD时,源级的最高输出电压只能为VDD-Vth。这叫阈值损失。
N管的输出要比栅压损失一个阈值电压。因此不宜用N管传输高电平。P管的输出也会比栅压损失一个阈值。同理栅压为0时,P管源级的输出电压范围为VDD到|Vth|,因此不宜用P管传递低电平。

第7题:

以下说法哪个是错误的()

  • A、与CCD摄像机相比,CMOS摄像机功耗更低;
  • B、与CCD摄像机相比,CMOS摄像机成像速度更快;
  • C、与CCD摄像机相比,CMOS摄像机的灵敏度更高;
  • D、与CCD摄像机相比,CMOS摄像机更具成本优势;

正确答案:C

第8题:

与CCD摄像机相比CMOS摄像机更具成本优势。


正确答案:正确

第9题:

与TTL相比,CMOS集成电路主要优点有:()、()、()、()、()等。


正确答案:功耗低;工作电压范围宽;抗干扰能力强;集成度高;成本低

第10题:

与CMOS电路相比,TTL电路的能耗较大


正确答案:正确